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  4. Circuit Intégré CXK5864BP-10L / CXK 5864 BP - 10L – Mémoire SRAM Statique CMOS Haute Vitesse 64 Kbits (8K x 8) 100 ns Basse Consommation – SONY – Boîtier DIP-28
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Prix distribution
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Circuit Intégré CXK5864BP-10L / CXK 5864 BP - 10L – Mémoire SRAM Statique CMOS Haute Vitesse 64 Kbits (8K x 8) 100 ns Basse Consommation – SONY – Boîtier DIP-28

Circuit Intégré CXK5864BP-10L / CXK 5864 BP - 10L – Mémoire SRAM Statique CMOS Haute Vitesse 64 Kbits (8K x 8) 100 ns Basse Consommation – SONY – Boîtier DIP-28

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Mémoire vive statique (SRAM) asynchrone haute performance et haute fiabilité CXK5864BP-10L (marquée CXK5864BP-10L / CXK 5864BP) d'origine SONY en boîtier traversant standard DIP-28 (DIL-28). D'une capacité de 64 kilobits organisée en 8 192 mots de 8 bits (8 Ko), cette SRAM CMOS combine un temps d'accès rapide de 100 ns avec la version à très faible consommation de maintien « L » (Low Power / Battery Backup). Composant neuf d'origine (New Old Stock / stock d'atelier), conditionné sous protection antistatique ESD pour la maintenance, la réparation de consoles de jeux, micro-ordinateurs rétro, systèmes d'arcade et synthétiseurs vintage.

CaractéristiqueSpécification
Type de ComposantMémoire vive statique CMOS asynchrone (High-Speed CMOS Static RAM)
Fabricant d'OrigineSONY (Marquage Logo Sony / CXK5864BP-10L)
Référence ComplèteCXK5864BP-10L (CXK 5864 BP - 10L / CXK5864BP / CXK5864)
Équivalents Directs (Pin-to-Pin)HM6264P-10, MB8464A-10L, TC5564P-10, 6264, KM6264, UT6264
Boîtier / PackageDIP-28 / DIL-28 (Dual In-Line 28 broches traversantes, pas standard 2,54 mm, largeur 600 mils)
Organisation Interne64 Kbits = 8 Ko x 8 bits (8 192 octets)
Temps d'Accès (Speed Grade)100 ns (100 nanosecondes)
Tension d'Alimentation (Vcc)+5 V (+/-10%)
Version Basse Consommation (L)Mode veille ultra-faible consommation (idéal sauvegarde sur pile lithium / accu / NVRAM)
Brochage NormaliséConforme au standard JEDEC 28 broches (compatible broche à broche EPROM 2764 en lecture)
État du ComposantNeuf d'origine (broches étamées nettes et droites, non soudé, stockage sec ESD)

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Optimisation Sauvegarde sur Batterie : La déclinaison « L » garantit un courant de veille (Standby Current) de quelques microampères seulement, permettant une rétention des données sur plusieurs années via une pile de sauvegarde 3 V (CR2032) ou un condensateur de maintien.

  • Haute Vitesse 100 ns : Temps de cycle et d'accès courts assurant une compatibilité parfaite avec les processeurs 8 et 16 bits sans injection de temps d'attente (wait states).

  • Double Sélection de Boîtier : Entrées de sélection de puce multiples (CE1 active à l'état bas et CE2 active à l'état haut) facilitant le décodage d'adresse direct et la gestion automatique du mode veille sans logique additionnelle.

  • Fiabilité Sony d'Époque : Excellente tenue en température, immunité aux parasites sur le bus de données et parfaite conformité avec les électroniques japonaises des années 80 et 90.

Applications & Appareils Cibles

  • Consoles de jeux vidéo rétro et cartouches de sauvegarde (circuits SRAM de cartouches NES, SNES, Game Boy, Mega Drive).

  • Systèmes d'arcade rétro (circuits de RAM principale CPU, mémoire tampon graphique / vidéo sur PCB JAMMA, Capcom CPS-1/CPS-2, Sega, Neo-Geo MVS).

  • Micro-ordinateurs 8/16 bits vintage (Commodore, Amiga, Atari ST, MSX, Thomson TO8/TO9, Apple II, compatibles PC/XT).

  • Synthétiseurs musicaux, boîtes à rythmes et échantillonneurs vintage (sauvegarde des patchs et paramètres utilisateurs).

  • Automates programmables industriels (API / PLC) et instruments de mesure de laboratoire.

  • Remplacement standard et direct de toute mémoire SRAM de type 6264 / 8Kx8 défaillante.

Conseils d'Atelier & Recommandations de Montage

  1. Support DIP : L'installation sur un support tulipe DIP-28 (largeur 15,24 mm / 600 mils) est fortement recommandée pour simplifier les interventions ultérieures et protéger le composant contre les contraintes thermiques lors du soudage.

  2. Précautions de Soudure : En cas d'implantation directe sur circuit imprimé, utiliser un fer thermorégulé réglé entre 320°C et 350°C en limitant le temps de contact à moins de trois secondes par broche.

  3. Découplage d'Alimentation : Pour un fonctionnement optimal et sans glitch, implanter un condensateur céramique multicouche de 100 nF (0,1 µF) au plus près des broches Vcc (broche 28) et GND (broche 14).

  4. Protection ESD : Manipuler impérativement le circuit intégré sur un plan de travail antistatique relié à la terre.

Composants Électroniques Actifs / Circuit intégré mémoire SRAM 64K (8Kx8) 100ns SONY CXK5864BP-10L CXK 5864 BP boîtier DIP-28 neuf.

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