Le M1-6516-8 (conçu par Harris Semiconductor, puis repris par Intersil) est une mémoire vive statique (SRAM) asynchrone de technologie CMOS d'une capacité de 16 Kilobits, configurée en 2048 mots de 8 bits (2K x 8). Tout comme la version -2, ce composant est encapsulé dans un boîtier CDIP24 (céramique double ligne traversant) scellé hermétiquement, répondant aux exigences strictes des applications professionnelles et de haute fiabilité.
La distinction majeure de cette référence réside dans son suffixe :
Le préfixe M1 confirme sa conformité aux normes industrielles et militaires sévères (plage de température étendue de -55 °C à +125 °C avec un tri rigoureux du silicium).
Le suffixe -8 indique une sélection de vitesse différente, calibrée pour un temps d'accès maximal de 200 nanosecondes (contre 120 ns pour la version -2).
Cette vitesse de 200 ns reste parfaitement adaptée et synchronisée avec les cycles d'horloge des microprocesseurs 8 bits classiques de cette génération (comme les familles 8085, Z80, 6800 ou RCA 1802). Elle conserve l'immense avantage de la technologie CMOS : une consommation électrique quasi nulle en mode de veille (Standby), idéale pour la sauvegarde de données critiques par pile ou batterie.
Fabricant : Harris Semiconductor / Intersil
Fonction : Mémoire RAM Statique Asynchrone (SRAM) Haute Fiabilité.
Capacité : 16 Kbit (2 Ko organisés en 2K x 8).
Temps d'accès (Vitesse) : 200 ns (Index -8).
Plage de température (Index M1) : Étendue / Militaire (-55 °C à +125 °C).
Boîtier : Céramique hermétique double ligne CDIP24 (Ceramic DIP).
Diagnostic Express (Substitution et Compatibilité) :
Remplacement rétrograde (-2 vs -8) : Si vous dépannez une carte électronique dont les plans spécifient une puce M1-6516-2 (120 ns), n'utilisez pas cette version -8 (200 ns). Le processeur risquerait de lire ou d'écrire des données avant que la mémoire n'ait eu le temps de stabiliser ses bus, provoquant des plantages aléatoires. En revanche, si la carte d'origine utilise une M1-6516-8, vous pouvez y installer une version -2 ou -8 sans aucun problème.
Contrôle des lignes d'Adresses (A0 à A10) : Lors d'un dysfonctionnement (données corrompues à des adresses spécifiques), contrôlez à l'oscilloscope la propreté des transitions sur les 11 lignes d'adresse. Un défaut de soudure ou une micro-coupure sur une seule de ces pistes réduira de moitié la zone mémoire accessible ou provoquera des collisions de données.
Recommandations de Montage :
Support CDIP24 Tulipe : Comme pour toutes vos puces en boîtier céramique rigide, l'utilisation d'un support tulipe à 24 broches de haute qualité est impérative. Elle préserve le boîtier scellé du stress thermique du fer à souder et vous permet de basculer facilement la puce sur votre programmateur / testeur de mémoire de table pour valider l'intégrité de sa matrice de transistors.
Découplage local des pointes de courant : Même à 200 ns, les commutations internes du bus de données (broches DQ0 à DQ7) génèrent des transitoires sur le rail d'alimentation. Soudez un condensateur céramique multicouche (MLCC) de 100 nF au plus près de la broche 24 (VCC) et de la broche 12 (GND).
Nettoyage anti-fuite : Un nettoyage minutieux à l'alcool isopropylique pur après le brasage est obligatoire. Les broches de contrôle (WE, CE, OE) fonctionnant avec des impédances élevées au repos, le moindre film de flux de soudure hydrophile ou acide peut induire des comportements erratiques ou empêcher le passage optimal en mode ultra-faible consommation.
