Le µPD446C-3 (conçu par NEC) est une mémoire RAM statique (SRAM) de 16 Kbits organisée en 2 048 mots de 8 bits (2 Ko). Version plus ancienne et de capacité inférieure à votre modèle 32 Ko (µPD43256), ce circuit intégré en boîtier DIP24 étroit (300 mils) était un grand classique de la fin des années 70 et des années 80. On le retrouve massivement dans les architectures à microprocesseur 8 bits d'époque (comme les systèmes à base de Z80, 6502 ou 8085), les terminaux de contrôle et les premiers micro-ordinateurs pour stocker des variables système ou servir de mémoire tampon.
Le suffixe -3 spécifie un temps d'accès maximal de 450 ns, ce qui correspond aux exigences de cadencement des processeurs fonctionnant à des fréquences d'horloge standard de l'époque (généralement autour de 1 à 2 MHz).
Fabricant : NEC (Nippon Electric Company).
Technologie : RAM Statique (SRAM) — technologie NMOS à faible consommation en veille, ne nécessitant aucun cycle de rafraîchissement.
Capacité : 16 Kbits (2 Ko x 8 bits).
Vitesse : 450 ns (Temps d'accès de la révision -3).
Format : Boîtier plastique DIP24 "Slim" (traversant, écartement de 0,3 pouce).
Diagnostic Express (Défaut d'adressage ou conflits de bus) :
Sélection du boîtier (/CE) : Le µPD446 dispose d'une logique de sélection. Si le processeur ne parvient ni à lire ni à écrire dans la mémoire, vérifiez à l'oscilloscope que la broche de sélection du boîtier (/CE, broche 18) descend bien à l'état bas (0 V) lorsque le décodeur d'adresse cible la zone des 2 Ko. Si elle reste à 5 V, la puce reste en mode veille isolée du bus.
Lignes de données flottantes : Lors d'un cycle de lecture, assurez-vous que la broche d'autorisation des sorties (/OE, broche 20) passe bien à l'état bas. Si elle reste haute, les sorties de données restent à haute impédance, empêchant le processeur de récupérer le contenu de la mémoire.
Recommandations de Montage :
Support DIP24 Étroit : L'usage d'un support tulipe de 24 broches (format étroit, 300 mils) est fortement recommandé. Ces composants d'époque sont sensibles à l'électricité statique (ESD) et à la surchauffe lors de la soudure. L'utilisation d'un support préserve le composant et simplifie son extraction si vous devez tester son intégrité sur un programmateur ou testeur de mémoire externe.
Découplage local : Installez un condensateur céramique de 100 nF directement entre la broche 24 (VCC) et la broche 12 (GND). Même si ce composant tourne à une vitesse modérée (450 ns), les transitions simultanées sur le bus de données à 8 bits provoquent des micro-appels de courant capables de perturber la stabilité logique des circuits logiques environnants.
Nettoyage du bus d'adresse : Un nettoyage soigné à l'alcool isopropylique pur après le brasage est obligatoire. Les résidus de flux de soudure entre les broches d'adresses (A0 à A10) peuvent créer des micro-conductivités parasites, entraînant des erreurs d'adressage (écrasement involontaire d'une case mémoire par une autre).
