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Lot de 6 Transistors MOSFET de Puissance N-Channel STMicroelectronics P33N10 / STP33N10 – Boîtier Plastique TO-220AB (100 V Vds / 33 A – 60 mOhm – Conversion & Commutation de Puissance)

Lot de 6 Transistors MOSFET de Puissance N-Channel STMicroelectronics P33N10 / STP33N10 – Boîtier Plastique TO-220AB (100 V Vds / 33 A – 60 mOhm – Conversion & Commutation de Puissance)

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Lot de 6 transistors à effet de champ à grille isolée de type N (N-Channel Power MOSFET), issus des fabrications historiques de STMicroelectronics, référence classique P33N10 (STP33N10) logée dans son boîtier plastique moulé à semelle métallique TO-220AB. Conçu spécifiquement pour les alimentations à découpage (SMPS), les onduleurs, les convertisseurs DC-DC, les commandes de moteurs et les circuits de commutation rapide exigeant une tension de service de 100V sous un courant de 33A. Livrés à l'état neuf de stock d'origine (NOS / Stock fabricant).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor MOSFET de puissance canal N (N-Channel Power MOSFET)
Technologie de Semi-conducteurSilicium (Si) – structure STripFET de puissance
Fabricant d'OrigineSTMicroelectronics (ST)
Référence ConstructeurP33N10 / STP33N10 (Format standard JEDEC TO-220AB)
Format du BoîtierBoîtier plastique moulé TO-220AB à 3 broches avec semelle arrière métallique percée
Tension Drain-Source Max (Vds)100 V (tension de service élevée adaptée aux bus continus et alimentations de puissance)
Tension Grille-Source Max (Vgs)plus ou moins 20 V (marge de protection de l'oxyde de grille)
Courant de Drain Continu (Id)33 A (à Tc = 25°C – calibre de courant très robuste pour charges lourdes)
Résistance Drain-Source à l'État Passant (Rds(on))0,060 Ohm (60 mOhm) (faible résistance interne réduisant les pertes par conduction)
Puissance Dissipable Maximale (Pd)110 W (à Tc = 25°C avec un dissipateur thermique adapté)
Plage de Température de Jonction (Tj)-55°C à +175°C
Quantité du LotLot de 6 composants neufs de stock d'atelier (NOS)
Usage & ApplicationsAlimentations à découpage (SMPS), convertisseurs de tension, variateurs de vitesse, hacheurs et maintenance d'équipements électroniques industriels

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Calibre en Courant Robuste (33 A) : Permet de commuter des intensités importantes avec une excellente efficacité et des pertes réduites.

  • Technologie STripFET : Offre des performances dynamiques optimisées, garantissant un comportement stable en commutation rapide à haute fréquence.

  • Format TO-220 Pratique : Combine une capacité de dissipation thermique élevée (110 W max) et un encombrement réduit sur le radiateur de châssis.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé Boîtier TO-220 (Composant vu de face, face avant portant le marquage orientée vers vous, broches pointant vers le bas) :

    • Broche de gauche : Grille (Gate - G)

    • Broche centrale : Drain (D) (également relié électriquement à la semelle métallique arrière)

    • Broche de droite : Source (S)

    • Rappel d'atelier : La semelle métallique arrière est directement reliée au Drain et se trouve sous tension en fonctionnement. Prévoyez un kit d'isolation thermique (feuillet en mica ou en silicone type Sil-Pad) et un canon isolant pour la vis de fixation M3 si votre radiateur de châssis est relié à la masse. N'oubliez pas d'appliquer une fine couche de pâte thermique.

  2. Précautions ESD & Manipulation :

    • Les transistors MOSFET possèdent une impédance de grille extrêmement élevée qui les rend sensibles aux décharges électrostatiques (ESD). Manipulez-les sur un plan de travail relié à la terre et utilisez un fer à souder mis à la masse.

Composants Électroniques Actifs / Lot de 6 transistors MOSFET N STMicroelectronics STP33N10 boîtier TO-220 neuf.