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H11D1 / H 11 D1 - Photocoupleur / Optocoupleur Sortie Phototransistor Haute Tension DIP-6

H11D1 / H 11 D1 - Photocoupleur / Optocoupleur Sortie Phototransistor Haute Tension DIP-6

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Le H11D1 (développé à l'origine par General Electric, également produit par Vishay / Isocom / ON Semi) est un circuit intégré monolithique optocoupleur / photocoupleur à sortie phototransistor NPN haute tension (High Voltage Phototransistor Optocoupler IC).

Logé dans un boîtier DIP plastique noir à 6 broches (PDIP6 / DIP-6), ce composant est une référence très appréciée dans les cartes d'interface haute tension, la commutation de relais 115V/230V, l'isolation galvanique de bus de données et les alimentations à découpage.

Il combine une diode électroluminescente (LED) infrarouge à l'arséniure de gallium (GaAs) en entrée et un phototransistor NPN au silicium haute tension en sortie. La particularité majeure de la série H11D1 réside dans sa tension de tenue collecteur-émetteur très élevée (Vceo = 300 V), doublée d'un accès à la base interne du transistor.

Caractéristiques Essentielles

  • Fabricant d'origine : General Electric (GE) / Vishay / Isocom.

  • Fonction : Optocoupleur à isolation galvanique haute tension avec sortie phototransistor et accès base.

  • Boîtier : PDIP6 / DIP-6 (Plastique noir 6 broches traversantes, pas de 2,54 mm).

  • Signification de la référence :

    • H11 : Gamme standard d'optocoupleurs d'origine General Electric.

    • D1 : Version spécifiée pour une tenue en tension Vceo de 300 V avec un CTR minimum de 20%.

  • Performances clés :

    • Tension de Tenue Collecteur-Émetteur (Vceo) Très Élevée : 300 V min, idéale pour interfacer directement des lignes secteur redressées ou piloter des charges inductives sous haute tension.

    • Rapport de Transfert de Courant (CTR) : Minimum 20% (à IF = 10 mA, VCE = 10 V).

    • Tension d'Isolation Élevée (Viso) : 5300 V RMS entre le primaire basse tension et le secondaire haute tension.

    • Broche de Base (Pin 6) : Permet de câbler une résistance entre base et émetteur pour accélérer la commutation ou ajuster la sensibilité au bruit.

CaractéristiqueSpécifications
FabricantGeneral Electric (GE) / Vishay
Type de FonctionOptocoupleur sortie Phototransistor Haute Tension (300 V)
Tension Collecteur-Émetteur max (Vceo)300 V
Tension Émetteur-Base max (Vebo)7 V
Tension d'isolation (Viso)5300 V RMS
Courant Direct LED max (IF)60 mA
Courant de Collecteur max (IC)100 mA
BoîtierPDIP6 (Plastique noir 6 broches)

Mémo Technique d'Atelier

  • Diagnostic Express (Pas de transmission du signal ou basculement paresseux) :

    • Le signal de commande n'active pas la sortie :

      1. Mesure la LED d'entrée au multimètre (mode diode) entre broches 1 et 2 : tu dois mesurer une chute de tension directe d'environ 1,15 V à 1,3 V.

      2. Côté sortie (broches 4 et 5) : hors commande, le transistor doit présenter une isolation totale même sous tension élevée (jusqu'à 300 V). En injectant ~10 mA dans la LED, le transistor doit conduire.

    • Temps de désaturation trop long (Commutation lente) :

      • Place une résistance de forte valeur (ex: 100 kOhm à 1 MOhm) entre la broche 6 (Base) et la broche 4 (Émetteur) pour évacuer plus rapidement les charges résiduelles de la base.

  • Recommandations de Montage :

    • Résistance de Limitation LED : Toujours insérer une résistance série sur l'entrée (ex: 330 Ohms sous 5 V) pour fixer le courant IF aux alentours de 10 mA.

    • Équivalences : Peut remplacer ou être remplacé par la version H11D2 (tension Vceo limitée à 200 V) ou la série MCT271, sous réserve de vérifier la tenue en tension requise par le montage.

    • Support DIP6 : Utilise un support DIP-6 classique pour faciliter les remplacements lors de la maintenance.

5,83 € 5,83 € (Toutes taxes comprises)

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