Le W24257-70LL (fabriqué par Winbond Electronics) est un circuit intégré mémoire SRAM statique haute vitesse et ultra-basse consommation (256K / 32K x 8-Bit High-Speed Low-Power CMOS Static RAM IC).
Logé dans un boîtier DIP plastique de 28 broches (souvent en format étroit Skinny DIP / SKDIP-28, pas de 2,54 mm), ce composant est un standard incontournable pour la sauvegarde de données sur pile/batterie, la mémoire vive de travail sur cartes à microcontrôleurs/microprocesseurs, les consoles de jeux vidéo vintage et le matériel industriel.
Il offre une organisation de 32 768 mots de 8 bits (32 Ko), un temps d'accès très rapide de 70 ns, et la technologie LL (Low Power) garantissant une consommation résiduelle minimale en mode veille (Standby), idéale pour maintenir les données enregistrées avec une simple pile bouton (type CR2032).
Fabricant d'origine : Winbond Electronics.
Fonction : Mémoire RAM statique (SRAM) CMOS 256 Kbits (32K x 8 bits).
Boîtier : SKDIP28 / DIP-28 (Plastique 28 broches traversantes, format étroit 300 mils). (Note : la référence commerciale 24257 est au format 28 broches standard JEDEC).
Signification de la référence :
W24 : Gamme de mémoires SRAM CMOS chez Winbond.
257 : Capacité de 256 Kbits (32 768 x 8 bits).
-70 : Temps d'accès maximal de 70 ns.
LL : Version Very Low Power (consommation ultra-faible en mode rétention de données).
Performances clés :
SRAM Asynchrone : Ne nécessite aucun rafraîchissement externe (contrairement à la DRAM).
Tension de maintien de données (Data Retention) : Conserve le contenu en mémoire avec une tension réduite jusqu'à 2,0 V et un courant de veille dérisoire (quelques microampères).
Bus de données 8 bits bidirectionnel : Compatibilité directe avec les bus de données 8 bits et 16 bits (Z80, 68000, 8051, PIC, etc.).
Entrées/Sorties trois états (Tri-state) : Libère le bus lorsqu'elle n'est pas sélectionnée grâce aux broches Chip Enable (/CE) et Output Enable (/OE).
Diagnostic Express (Données corrompues, absence de lecture ou perte de mémoire) :
Perte de la mémoire après coupure du secteur :
Mesure la tension sur la broche Vcc (broche 28) lorsque le circuit est sur sa pile de sauvegarde. La tension doit rester supérieure à 2,0 V.
Vérifie le signal d'inhibition sur la broche /CE (Chip Enable - broche 20) : en mode veille (sur pile), /CE doit être impérativement maintenue au niveau HAUT (+Vbat) pour bloquer les accès et empêcher l'effacement accidentel.
Lecture impossible / Conflit sur le bus :
Contrôle la logique d'écriture /WE (Write Enable - broche 27) et d'activation de sortie /OE (Output Enable - broche 22). Si /WE descend au niveau BAS pendant une lecture, la mémoire écrase la donnée présente sur le bus.
Recommandations de Montage :
Brochage Standard JEDEC DIP-28 (Vue de dessus) :
Broche 1 à 10, 21, 23, 24, 25, 26 : Lignes d'adresses (A0 à A14)
Broches 11 à 13, 15 à 19 : Lignes de données (I/O 0 à I/O 7)
Broche 14 : Masse GND (0 V)
Broche 20 : /CE (Chip Enable - Sélection du composant)
Broche 22 : /OE (Output Enable - Autorisation de sortie)
Broche 27 : /WE (Write Enable - Autorisation d'écriture)
Broche 28 : Alimentation Vcc (+5 V)
Remarque sur le boîtier (DIP-28 vs DIP-34) : La famille standard 24257 utilise un boîtier DIP-28 (ou SKDIP-28 au pas de 7,62 mm). S'il s'agit d'une empreinte à 34 emplacements sur votre carte, vérifiez si les broches des extrémités sont laissées libres ou s'il s'agit d'un support élargi.
Découplage : Place un condensateur céramique de 100 nF au plus près de la broche 28 (Vcc) et 14 (GND) pour filtrer les transitoires lors des cycles de lecture/écriture rapides à 70 ns.
