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Transistor MOSFET de Puissance N-Channel International Rectifier IRFP044 – Boîtier Plastique TO-247 / TO-3P (60 V Vds / 57 A Id – HEXFET Power MOSFET)

Transistor MOSFET de Puissance N-Channel International Rectifier IRFP044 – Boîtier Plastique TO-247 / TO-3P (60 V Vds / 57 A Id – HEXFET Power MOSFET)

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Transistor MOSFET à canal N de forte puissance (N-Channel Power MOSFET), issu des fabrications historiques d'International Rectifier (IR), référence classique IRFP044 logée dans son robuste boîtier plastique moulé à semelle métallique arrière TO-247 (souvent désigné sous le format TO-3P). Conçu spécifiquement pour la commutation haute vitesse, les convertisseurs DC-DC, les alimentations à découpage (SMPS), les onduleurs et les variateurs de vitesse basse tension exigeant un courant massif de 57A sous une tension de 60V avec une très faible résistance interne. Livré à l'état neuf de stock d'origine (NOS / Stock fabricant).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor MOSFET à canal N de puissance (N-Channel Power MOSFET)
Technologie de Semi-conducteurSilicium (Si) – Technologie HEXFET optimisée pour de faibles résistances de conduction et une commutation rapide
Fabricant d'OrigineInternational Rectifier (IR / Infineon)
Référence ConstructeurIRFP044 (Format standard JEDEC TO-247 / TO-3P)
Format du BoîtierBoîtier plastique moulé TO-247 à 3 broches avec semelle arrière métallique percée (Tab)
Tension Drain-Source Max (Vds)60 V (tension de service idéale pour les alimentations 12V, 24V, 48V et circuits industriels)
Tension Grille-Source Max (Vgs)Plus ou moins 20 V (plage de commande de grille sécurisée)
Courant de Drain Continu Max (Id)57 A (à Tc = 25°C) (calibre de courant exceptionnel pour commuter des charges à très forte intensité)
Résistance à l'État Passant (Rds(on))0,028 ohm (28 mOhm max à Vgs = 10V), garantissant un rendement élevé et de faibles pertes par effet Joule
Puissance Dissipable Maximale (Pd / Ptot)150 W (à Tc = 25°C avec un dissipateur thermique adapté)
Plage de Température de Jonction (Tj)-55°C à +175°C (plage thermique élargie pour environnements sévères)
QuantitéComposant unitaire neuf de stock d'atelier (NOS)
Usage & ApplicationsConvertisseurs DC-DC, alimentations à découpage, commandes de moteurs continus, onduleurs et maintenance d'équipements électroniques professionnels

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Calibre Massif de 57 A à Faible Résistance : Permet de faire circuler des courants considérables tout en minimisant l'échauffement thermique grâce à une résistance $R_{ds(on)}$ de seulement 28 milliohms.

  • Technologie HEXFET Éprouvée : Référence de grande robustesse dynamique, offrant une excellente tolérance aux pics d'énergie transitoires lors des commutations inductives.

  • Format TO-247 Universel : Assure un contact thermique optimal et une fixation mécanique solide sur un radiateur en aluminium pour dissiper jusqu'à 150W.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé Boîtier TO-247 (Composant vu de face, face avant portant le marquage orientée vers vous, broches pointant vers le bas) :

    • Broche de gauche : Grille (G)

    • Broche centrale : Drain (D) (également relié électriquement à la semelle métallique arrière / Tab)

    • Broche de droite : Source (S)

    • Rappel d'atelier : La semelle métallique arrière est directement reliée au Drain. Prévoyez systématiquement un kit d'isolation thermique (feuillet en silicone ou mica) et un canon isolant pour la vis si votre radiateur est relié à la masse du châssis. Appliquez une fine couche de pâte thermique.

  2. Précautions Antistatiques (ESD) & Commande de Grille :

    • Manipulez l'IRFP044 en respectant les règles antistatiques (bracelet de terre). Insérez une résistance de tirage (pull-down) sur la grille pour éviter toute mise en conduction intempestive lors des phases transitoires de mise sous tension.

Composants Électroniques Actifs / MOSFET de puissance N-Channel International Rectifier IRFP044 boîtier TO-247 neuf.