Transistor MOSFET à canal N haute tension (N-Channel Power MOSFET), issu des fabrications historiques de Toshiba, référence classique 2SK386. Conçu spécifiquement pour les alimentations à découpage, les amplificateurs de puissance audio, les convertisseurs et les circuits de commutation industrielle exigeant une tension de claquage de 450 V sous un calibre de courant de 10 A. Livré à l'état neuf de stock d'origine (NOS / Stock fabricant).
Points Forts & Spécificités Techniques
Calibre de 10 A sous 450 V : Offre une excellente capacité de commutation pour piloter des charges de forte puissance avec une réactivité dynamique élevée.
Qualité Toshiba d'Époque : Semi-conducteur robuste très recherché pour la restauration d'amplificateurs audio haut de gamme et d'alimentations vintage.
Conseils d'Atelier & Raccordement
Brochage & Boîtier de Puissance (Composant vu de face, face avant portant le marquage orientée vers vous, broches pointant vers le bas) :
Broche de gauche : Grille (G)
Broche centrale : Drain (D) (également relié électriquement à la semelle métallique arrière)
Broche de droite : Source (S)
Rappel d'atelier : La semelle métallique arrière est directement reliée au Drain et se trouve sous haute tension en fonctionnement. Prévoyez systématiquement un kit d'isolation (feuillet en silicone ou mica) et un canon isolant pour la vis si votre radiateur est relié à la masse. Appliquez une fine couche de pâte thermique.
Précautions Antistatiques (ESD) & Commande de Grille :
Manipulez le 2SK386 en respectant les règles antistatiques (bracelet de terre). Veillez à ce que la tension de grille ne dépasse pas la limite admissible et prévoyez une résistance de fuite pour éviter toute accumulation de charges statiques parasites.
Composants Électroniques Actifs / MOSFET de puissance N-Channel Toshiba 2SK386 neuf.
