Transistor MOSFET à canal N de puissance haute tension à grille isolée (N-channel Power MOSFET), issu des fabrications de STMicroelectronics, référence professionnelle STH8NA60FI (parfois notée STH 8NA60 FI) logée dans son boîtier plastique surmoulé isolé de type ISOWATT220 (similaire au format TO-220 entièrement isolé). Conçu spécifiquement pour les alimentations à découpage (SMPS), les convertisseurs DC-DC, les ballasts électroniques et les circuits de commande exigeant une forte tenue en tension sous un calibre de 8A. Livré à l'état neuf de stock d'origine (NOS / Stock fabricant).
Points Forts & Spécificités Techniques
Boîtier ISOWATT220 Isolé : Grâce à sa semelle surmoulée en résine, il offre une isolation galvanique complète par rapport au radiateur (tension d'isolement élevée), simplifiant grandement le montage en évitant l'usage de micas et de canons isolants.
Haute Tension (600V Vds) : Parfaitement dimensionné pour supporter les contraintes des alimentations connectées directement au secteur, avec une marge de sécurité confortable face aux surtensions.
Commande en Tension (MOSFET) : La grille (Gate) est commandée en tension avec un courant statique quasi nul, simplifiant les circuits de pilotage (gate drivers).
Conseils d'Atelier & Raccordement
Brochage Normalisé Boîtier ISOWATT220 (Composant vu de face, face plastique portant le marquage orientée vers vous, broches pointant vers le bas, de gauche à droite) :
Broche de gauche : Grille (Gate - G)
Broche centrale : Drain (D) (également relié en interne à la semelle, mais isolé de l'extérieur par le boîtier plastique)
Broche de droite : Source (S)
Rappel d'atelier : Appliquez toujours une fine pellicule de pâte thermique entre le boîtier ISOWATT220 et votre radiateur en aluminium pour optimiser le transfert des calories, même si l'isolation électrique est native.
Précautions de Manipulation (Antistatique / ESD) :
La grille des MOSFETs est extrêmement sensible aux charges électrostatiques. Manipulez le composant sur un plan de travail relié à la terre, de préférence avec un bracelet antistatique, et évitez de toucher directement les broches avec les doigts nus avant la mise en circuit.
Contrôle Électronique au Multimètre (Mode Diode) :
Test de la diode de structure (Drain-Source) : Pour un MOSFET canal N, placer la touche noire (-) sur le Drain (broche centrale) et la touche rouge (+) sur la Source (broche de droite). L'appareil doit indiquer la chute de tension directe de la diode intégrée (environ 0,45 V à 0,70 V). En inversant les touches, le blocage doit être total (OL).
Composants Électroniques Actifs / MOSFET N-channel haute tension STMicroelectronics STH8NA60FI neuf.
