Circuit intégré mémoire vive dynamique (65,536-Word × 1-Bit Dynamic NMOS RAM / 64K × 1 DRAM) de référence constructeur Fujitsu MB8264A-12 (MB8264A / série MB8264 / grade de vitesse -12) fabriqué par le constructeur japonais Fujitsu Limited (Fujitsu Semiconductor), conçu pour les techniciens de maintenance en informatique vintage, restaurateurs de micro-ordinateurs 8-bit et 16-bit des années 1980 (Commodore 64, Apple IIe/IIc, Atari ST, Amiga, IBM PC/XT 5150/5160, ZX Spectrum, Amstrad CPC), dépanneurs de cartes mères industrielles, synthétiseurs musicaux / échantillonneurs (samplers) d'époque, flippers, bornes d'arcade et électroniciens d'atelier.
Le Fujitsu MB8264A-12 est une mémoire DRAM haute performance organisée en 65 536 mots de 1 bit (64K × 1) gravée en technologie silicium-gate NMOS standard. Évolution fiabilisée de la gamme MB8264, la révision "A" fonctionne sous une tension d'alimentation unique standard de +5 V DC (éliminant définitivement les contraintes de triple tension -5 V / +5 V / +12 V des anciennes générations 4116 / MB8116). Doté d'un temps d'accès adresse/ligne rapide de 120 nanosecondes (120 ns), il assure une parfaite compatibilité avec les bus cadencés des processeurs 6502, Z80, 6809, 68000 et 8088. Encapsulé dans un boîtier standard traversant DIP-16 plastique (Dual In-line Package 16 broches), il intègre un multiplexage d'adresses standardisé (lignes A0 à A7) contrôlé par les signaux d'échantillonnage de rangée (RAS - Row Address Strobe) et de colonne (CAS - Column Address Strobe), un cycle de rafraîchissement rapide à 128 cycles / 2 ms ainsi que la gestion du mode de rafraîchissement automatique par CAS avant RAS (CAS-before-RAS Refresh).
Composant Officiel Fujitsu Semiconductor (Genuine OEM Part) :
Composant mémoire de référence, standard industriel universel de la génération 64 Kbit utilisé massivement dans l'informatique personnelle et professionnelle des années 1980.
Alimentation Unique +5 V DC (Single +5V Power Supply) :
Simplifie la maintenance et élimine le risque de destruction par décalage de tension propre aux DRAM d'anciennes générations.
Temps d'Accès Rapide 120 ns (Grade -12) :
Vitesse supérieure (120 ns) remplaçant sans restriction les DRAM 64K plus lentes de 150 ns (-15) ou 200 ns (-20) avec une marge de stabilité accrue.
Organisation Standard 64K × 1 (65 536 Bits) :
Montage standard par bancs de 8 circuits pour former 64 Ko de mémoire centrale (ou 9 circuits pour les cartes gérant le bit de parité sur bus IBM PC/XT).
Multiplexage d'Adresses Ligne / Colonne (RAS / CAS) :
Contrôle standardisé par 8 lignes d'adresses (A0 à A7), entrée de données (Din), sortie de données 3 états (Dout) et commande d'écriture (WRITE).
Boîtier Traversant Standard DIP-16 :
Pas standard de 2,54 mm facilitant l'insertion sur support tulipe en atelier ou le montage direct sur circuits imprimés multi-couches.
État : Composant 100% neuf de stock d'origine d'époque (NOS / New Old Stock Genuine Fujitsu), broches étamées d'usine prêtes pour le brasage ou l'insertion sur support.
Brochage Standard JEDEC DIP-16 & Affectation des Signaux :
Broche 1 : Non Connectée (NC) ou broche de rafraîchissement selon révision.
Broche 2 : Entrée de données série (Din / Data In).
Broche 3 : Commande d'écriture active à l'état bas (WRITE / WE).
Broche 4 : Signal d'échantillonnage d'adresse de ligne (RAS - Row Address Strobe).
Broches 5, 7, 6, 12, 11, 10, 13, 9 : Lignes d'adresses multiplexées (A0, A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7).
Broche 8 : Alimentation positive principale (+VCC / +5 V DC).
Broche 14 : Sortie de données série 3 états (Dout / Data Out).
Broche 15 : Signal d'échantillonnage d'adresse de colonne (CAS - Column Address Strobe).
Broche 16 : Masse générale (GND / VSS / 0 V).
Diagnostics de Panne Fréquents sur Micro-Ordinateurs Vintage (ex. Commodore 64 / Apple II / PC XT) :
Écran noir au démarrage ou blocage du système : Défaillance d'une ou plusieurs DRAM dans le banc principal (la défaillance d'un seul bit sur les 8 empêche le chargement du BASIC ou du BIOS).
Écran avec caractères parasites, mosaïque ou décompte mémoire erroné (ex. "OUT OF MEMORY" ou message d'erreur RAM au boot) : Identifier le bit défaillant (D0 à D7) grâce à la cartouche de diagnostic (Dead Test) ou au code d'erreur affiché, puis localiser la puce correspondante sur le schéma de la carte mère.
DRAM bouillante au toucher : Court-circuit interne entre le rail +5 V (broche 8) et la masse (broche 16) provoquant une chute générale de la tension d'alimentation de la carte.
Consignes d'Implantation & Maintenance d'Atelier :
Monter impérativement un support DIP-16 tulipe de qualité lors du remplacement d'une DRAM dessoudée afin de fiabiliser les interventions futures sans abîmer les pastilles métallisées du PCB.
Toujours vérifier la présence et la bonne santé du condensateur de découplage céramique multicouche (100 nF) placé immédiatement à proximité de chaque boîtier DRAM entre la broche 8 (+5 V) et la broche 16 (GND).
Utiliser un fer à souder régulé (300°C à 320°C max) et respecter les précautions antistatiques de base (ESD) lors de la manipulation des circuits NMOS/CMOS.
Composants Électroniques & Mémoires Informatiques Vintage / Fabricant : FUJITSU LIMITED / Référence Constructeur : MB8264A-12 (MB8264A) / Type de Composant : Mémoire vive dynamique 64K × 1 bit DRAM NMOS / Vitesse d'accès : 120 ns / Boîtier : DIP-16 traversant plastique / Tension d'alimentation : +5 V DC unique / Équivalents directs : TMS4164, 4164, HM4864, µPD4164 / État : 100% neuf de stock d'origine d'époque (NOS / New Old Stock Genuine Fujitsu), jamais soudé. Composant mémoire indispensable pour la restauration, le dépannage des cartes mères et la fiabilisation des micro-ordinateurs et équipements électroniques classiques des années 1980.
