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  4. Lot de 2 Diodes Silicium Haute Fiabilité General Instrument GP647 / 1N647 (400 V / 400 mA – Boîtier Verre Hermétique DO-7 / DO-35)
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New Old Stock
Lot de 2 Diodes Silicium Haute Fiabilité General Instrument GP647 / 1N647 (400 V / 400 mA – Boîtier Verre Hermétique DO-7 / DO-35)

Lot de 2 Diodes Silicium Haute Fiabilité General Instrument GP647 / 1N647 (400 V / 400 mA – Boîtier Verre Hermétique DO-7 / DO-35)

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Lot de 2 diodes de redressement et de signal haute fiabilité à très faible courant de fuite (Low Leakage Silicon Rectifier / General Purpose Diode) de référence GP647 (GP 647 / équivalent strict standard JEDEC 1N647 / 1N 647) fabriquées par GENERAL INSTRUMENT (GI / General Semiconductor) (série standard 1N645 à 1N649 / GP645 à GP649), conçu pour les restaurateurs d'instruments de mesure de laboratoire, spécialistes de l'électronique vintage, avionique, maintenance industrielle et électroniciens d'atelier.

La diode General Instrument GP647 (1N647) est un composant silicium passivé de précision encapsulé dans le boîtier axial historique en verre scellé hermétique DO-7 / DO-35 (SOD-27). Développée pour les applications exigeant une excellente stabilité dans le temps et un courant de fuite inverse quasi-nul, elle offre une tension inverse répétitive de crête (VRRM / VR) de 400 V (tension de claquage inverse garantie supérieure à 440 V), un courant direct moyen nominal (IF(AV)) de 400 mA (à 25°C), et un courant résiduel de fuite inverse extrêmement faible (IR typiquement inférieur à 50 nA à 25°C). Sa structure sous verre passivé hermétique garantit une résistance diélectrique maximale, une parfaite insensibilité aux agressions chimiques ou hygrométriques et un fonctionnement fiable jusqu'à des températures de jonction de 175°C.

Composants Électroniques & Semi-conducteurs / Fabricant : GENERAL INSTRUMENT (GI / General Semiconductor) / Référence Fabricant : GP647 (Équivalent direct JEDEC 1N647 / 1N 647) / Type de Composant : Diode silicium à faible fuite et haute fiabilité / Tension Inverse Répétitive Max (VRRM / VR) : 400 V / Tension Continue Inverse Max (VR) : 400 V / Tension de Claquage Inverse Min (VBR) : 440 V à 480 V (sous IR = 100 µA) / Courant Direct Moyen Nominal (IF(AV)) : 400 mA (0,4 A à TA = 25°C) / 150 mA (à TA = 150°C) / Courant de Surcharge Crête (IFSM) : 3,0 A à 5,0 A (onde demi-sinus 8,3 ms / 10 ms) / Chute de Tension Directe Max (VF) : 1,0 V sous 400 mA / Courant Inverse de Fuite Ultra-Bas (IR) : Inférieur à 50 nA sous 400 V à 25°C (inférieur à 15 µA à 150°C) / Boîtier Mécanique : Axial verre scellé hermétique DO-7 / DO-35 (SOD-27) / Conditionnement : Lot de 2 pièces / État : Neuf de stock d'époque (NOS / New Old Stock), perles de verre intactes et transparentes, broches étamées propres et sans oxydation, jamais soudées. Composant rare et recherché pour la restauration conforme d'appareils de mesure et de circuits haute impédance.

Caractéristiques Essentielles

  • Qualité & Spécifications Professionnelles General Instrument :

    • Conforme aux normes militaires et professionnelles strictes (stabilité thermique, herméticité et pureté de jonction).

  • Marge de Sécurité en Tension (400 V / > 440 V Breakdown) :

    • Parfaitement dimensionnée pour les étages de polarisation haute impédance et les rails de tension continue intermédiaire 48 V, 110 V et 200 V.

  • Courant de Fuite Inverse Quasi-Nul (moins de 50 nA) :

    • Supprime les dérives thermiques parasites sur les ponts de mesure, intégrateurs analogiques et circuits d'échantillonnage-blocage (Sample & Hold).

  • Boîtier Verre Scellé Hermétique DO-7 / DO-35 :

    • Totalement insensible à l'humidité, à la poussière et aux solvants, avec une température de jonction étendue jusqu'à 175°C.

  • Capacité en Courant de 400 mA :

    • Deux à trois fois supérieure à une diode petit signal conventionnelle (type 1N4148 limitée à 150-200 mA).

  • État : Pièces neuves de stock d'origine (NOS), broches étamées d'usine prêtes à souder.

CaractéristiqueSpécifications
Marque / FabricantGeneral Instrument (GI)
Référence ComposantGP647 (Équivalent 1N647 / 1N 647)
QuantitéLot de 2 pièces
Famille TechnologiqueLow Leakage High-Reliability Silicon Diode
Tension Inverse Répétitive (VRRM)400 V
Tension Continue de Blocage (VR)400 V
Courant Direct Moyen (IF(AV))400 mA (à 25°C) / 150 mA (à 150°C)
Courant de Surcharge Crête (IFSM)3,0 A à 5,0 A (demi-sinus)
Chute de Tension Directe (VF)1,0 V max sous 400 mA
Courant de Fuite Inverse (IR)Inférieur à 50 nA sous 400 V à 25°C
Format Mécanique / BoîtierAxial Verre Hermétique DO-7 / DO-35
Température Max de Jonction (TJ)-65°C à +175°C
État des ComposantsNeuf de stock d'origine (NOS / Broches étamées propres)
Usage PrincipalRestauration d'appareils de mesure (Tektronix, HP), circuits haute impédance, clamping 400 V

Mémo Technique d'Atelier & Points Clés

  • Grandes Lignes d'Utilisation & Raccordement :

    • Repérage de Polarité : La bague foncée (noire ou argentée) imprimée sur le cylindre en verre identifie la broche Cathode (sortie du pôle positif continu en redressement).

    • Équivalence GP647 vs 1N647 : La référence GP647 est la désignation propriétaire General Instrument pour la diode standard JEDEC 1N647 (les deux dénominations partagent les mêmes spécifications électriques et mécaniques).

    • Applications Clés :

      • Restauration à l'identique de modules d'oscilloscopes, voltmètres et générateurs vintage (Tektronix, Hewlett-Packard, Metrix, Schlumberger).

      • Circuits d'isolation de signaux et de clamping haute tension sur étages analogiques sensibles.

      • Détection et redressement auxiliaire où les diodes plastique standard (1N4004) introduisent un courant de fuite excessif perturbant la mesure.

    • Précautions de Montage : Lors du formage des pattes axiales, maintenir fermement la broche avec une pince plate à 2-3 mm de la perle de verre afin d'éviter toute contrainte mécanique sur le scellement étanche verre-métal du boîtier DO-7.

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