Se rendre au contenu
  • Expédition gratuite sur notre gamme de composant
  • Suivez-nous
Tech'Care Electronics
  • 0
    Mon panier
  • 0
    Liste de souhaits
  • Se connecter
  • Accueil
  • Boutique
  • Tech'Care Lab
  • Le Coin des Techs
  • À propos
  • Rendez-vous
  • Contactez-nous
Tech'Care Electronics
  • 0
  • 0
    • Accueil
    • Boutique
    • Tech'Care Lab
    • Le Coin des Techs
    • À propos
    • Rendez-vous
  • Expédition gratuite sur notre gamme de composant
  • Suivez-nous
  • Se connecter
  • Contactez-nous
  1. Tous les produits
  2. Composants
  3. Transistors
  4. Transistor Bipolaire NPN Darlington Silicium ST MJ10004 – Boîtier Métallique Industriel TO-3 (350 V Vceo / 20 A Ic / 175 W – Commutation Haute Tension & Vitesse
  5. Transistors
Liste de prix: Prix distribution Liste de prix
Prix distribution
Liste de prix: Prix distribution Liste de prix
Prix distribution
New Old Stock
Transistor Bipolaire NPN Darlington Silicium ST MJ10004 – Boîtier Métallique Industriel TO-3 (350 V Vceo / 20 A Ic / 175 W – Commutation Haute Tension & Vitesse

Transistor Bipolaire NPN Darlington Silicium ST MJ10004 – Boîtier Métallique Industriel TO-3 (350 V Vceo / 20 A Ic / 175 W – Commutation Haute Tension & Vitesse

(0 avis)
8,75 € 8,75 € (Toutes taxes comprises)

Ajouter au panier
Ajouter à la liste de souhaits

Transistor de puissance de type NPN Darlington haute tension et commutation rapide avec diode de décharge intégrée, issu des fabrications professionnelles de STMicroelectronics (ou équivalent historique), référence MJ10004 logée dans son boîtier métallique étanche à bride et fixation par vis de type TO-3 (TO-204AA). Conçu spécifiquement pour les alimentations à découpage (SMPS), les onduleurs, les convertisseurs de puissance, les commandes de moteurs et les circuits de commutation inductive où le temps de blocage est critique. Livré à l'état neuf de stock d'origine (NOS / Stock fabricant).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor bipolaire NPN Darlington de puissance (N-Power Darlington BJT)
Technologie de Semi-conducteurSilicium (Si) – structure Darlington monolithique avec diode base-émetteur de vitesse intégrée
Fabricant d'OrigineSTMicroelectronics (Motorola / Semiconducteurs associés)
Référence ConstructeurMJ10004 (Format standard JEDEC TO-3 / TO-204AA)
Format du BoîtierBoîtier métallique lourd à bride TO-3 à 2 broches de commande sur l'embase
Tension Collecteur-Émetteur Max (Vceo)350 V (haute tenue en tension pour les applications connectées aux bus continus ou réseaux redressés)
Courant de Collecteur Continu Max (Ic)20 A (calibre de courant massif pour commuter des charges de forte puissance)
Gain en Courant Continu (hFE)40 à 400 (pour Ic = 10 A) (très fort gain en courant inhérent à la structure Darlington)
Puissance Dissipable Maximale (Pd / Ptot)175 W (à Tc = 25°C avec un dissipateur thermique adapté)
Plage de Température de Jonction (Tj)-65°C à +200°C
QuantitéComposant unitaire neuf de stock d'atelier (NOS)
Usage & ApplicationsAlimentations à découpage (SMPS), onduleurs industriels, hacheurs, commandes de moteurs et maintenance d'équipements de puissance anciens

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Diode de Vitesse Intégrée : Intègre en interne une diode de rattrapage / accélération base-émetteur qui réduit drastiquement les temps de commutation lors de la coupure de charges inductives.

  • Boîtier TO-3 Industriel : La référence absolue en matière de robustesse thermique (dissipation jusqu'à 175W) et mécanique, assurant un transfert optimal des calories vers les radiateurs en aluminium massif.

  • Configuration Darlington : Offre un gain en courant exceptionnellement élevé, permettant de piloter des courants de collecteur de 20A avec un courant de commande réduit.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé & Montage Mécanique Boîtier TO-3 (Composant vu de face, les deux broches vers le bas) :

    • Broche de gauche (repérée par le détrompeur) : Base (B)

    • Broche de droite : Émetteur (E)

    • Corps métallique / Semelle : Collecteur (C) (le boîtier entier est directement relié au collecteur)

    • Rappel d'atelier : Le corps métallique étant sous haute tension de service, l'utilisation d'un kit d'isolation électrique (feuillet en mica ou isolant thermique en silicone et canons isolants pour les vis de fixation) est impérative si votre radiateur ou votre châssis est relié à la masse. Appliquez une fine pellicule de pâte thermique pour garantir l'échange calorifique.

  2. Contrôle Électronique au Multimètre (Mode Diode) :

    • En raison de la structure Darlington (deux transistors et des résistances internes de fuite, plus la diode de vitesse), la mesure au multimètre présente des particularités : la chute de tension directe entre la Base (touche rouge +) et l'Émetteur (touche noire -) affichera une valeur plus élevée qu'un transistor simple (souvent entre 1,1 V et 1,4 V en raison des jonctions en cascade). Le blocage collecteur-émetteur doit rester absolu (OL) en l'absence de commande.

Composants Électroniques Actifs / Transistor Darlington NPN ST MJ10004 boîtier TO-3 neuf.

Avis client :

Produits

  • Accessoires
  • Alimentations
  • Capteurs
  • Composants
  • Connecteurs
  • Modules

Tous les produits

Nos modes de paiement


Prix bas Retours faciles Expédition rapide

Suivez-nous
Service client

  • Contact
  •  
  • Condition générale de vente
  • Mentions légales
  • Politique de confidentialité 

© Tech'Care Electronics - 2026 -
Généré par Odoo - Le #1 Open Source eCommerce