Le MK4104J-4 (souvent écrit ci SRAM MK4104J-4, MK 4104 J4) est un circuit intégré de mémoire vive statique (SRAM) NMOS d'une capacité de 4 096 bits, organisé sous la forme de 4 096 mots de 1 bit (4K x 1), fabriqué historiquement par Mostek.
Ce composant est une mémoire statique asynchrone emblématique des architectures informatiques et des équipements professionnels de la fin des années 1970 et du début des années 1980. Contrairement aux mémoires DRAM de l'époque, elle ne nécessite aucun cycle de rafraîchissement périodique. Le suffixe "-4" indique la classe de vitesse de la puce. Elle se distingue par son robuste boîtier céramique hermétique à cavités doté d'une double rangée de broches de type DIP-18 (Dual In-line Package à 18 broches, le "J" désignant traditionnellement le conditionnement en céramique militaire/professionnelle de Mostek).
Fabricant : Mostek.
Fonction : Mémoire Vive Statique 4K x 1-bit (4K-bit Static RAM).
Boîtier : DIP-18 en céramique hermétique (Dual In-line Package à 18 broches).
Signification de la référence :
MK... : Préfixe Mostek pour les circuits intégrés semi-conducteurs et mémoires MOS.
-4104 : Référence standard de l'industrie pour la famille des SRAM 4K x 1.
-J : Suffixe désignant le boîtier en céramique hermétique.
-4 : Indique la classe de performance ou le temps d'accès de la version.
Performances clés :
Fonctionnement statique asynchrone : Ne requiert aucune horloge externe de rafraîchissement, facilitant l'interfaçage avec les microprocesseurs 8 bits de première génération.
Alimentation simple : Fonctionne traditionnellement sur une alimentation principale de +5V.
Compatibilité TTL : Les niveaux logiques d'entrée et de sortie sont directement compatibles avec la logique standard TTL.
Repérage et Brochage (Boîtier DIP-18 Céramique) :
Repérage : L'encoche en demi-cercle, le point gravé ou le repère en creux sur l'extrémité du boîtier indique la position de la broche 1 (située en haut à gauche lorsque l'encoche est orientée vers le haut).
Brochage typique (Famille 4K x 1) :
Lignes d'adresses (A0 à A11) : Permettent de sélectionner l'un des 4096 emplacements mémoire individuels.
Lignes de données : Entrée de données (DIN) et sortie de données (DOUT).
Signaux de contrôle : Sélection de boîtier (Chip Select / CS) et commande de lecture/écriture (Read/Write / R/W).
Alimentation : Vcc (+5V) et masse (GND).
Environnement : Ce circuit se rencontre en rangées denses sur les cartes mères d'ordinateurs anciens, les terminaux, les systèmes de calcul et les équipements de mesure ou d'automatisation des années 1970/1980.
Diagnostic Express (Pannes de mémoire sur cartes vintage) :
Symptômes Courants en Atelier :
Blocage du système au démarrage, échec des tests de lecture/écriture de la mémoire : puce SRAM présentant une cellule défectueuse ou une sortie figée.
Surchauffe anormale au toucher sur le boîtier céramique : court-circuit interne de la puce suite à une surtension sur le rail d'alimentation.
Mesures sous tension (au multimètre) :
Contrôle de l'alimentation : Vérifier la présence stable du +5V continu sur la broche Vcc par rapport à la masse pour chaque boîtier.
Recommandations de Montage & Restauration :
Support tulipe : Compte tenu de la rareté et de la fragilité des boîtiers céramiques anciens (dont les broches rigides peuvent casser en cas de dessoudages répétés), l'installation préalable d'un support tulipe à 18 broches est indispensable pour préserver le circuit imprimé et sécuriser la maintenance corrective.
