Lot de 2 diodes au silicium planaire épitaxial pour commutation RF haute fréquence et commutation de bandes VHF/UHF (Silicon Epitaxial Planar RF Band-Switching Diode) de référence standard européenne Pro-Electron BA243 (BA 243 / série BA243, BA244, BA282, BA283 / équivalents BA182, BA282, 1SS99, MA28) (fabricants historiques de référence : Telefunken, Philips / NXP, Siemens, ITT Semiconductors), conçu pour les spécialistes de la restauration de tuners TV et récepteurs radio VHF/UHF, concepteurs de commutateurs d'antenne RF, atténuateurs dynamiques, présélecteurs de bandes et électroniciens d'atelier RF.
La diode BA243 est un semi-conducteur silicium planaire passivé de haute précision encapsulé dans le boîtier axial en verre scellé hermétique DO-35 (SOD-27 / DO-204AH). Spécialement développée pour assurer la commutation électronique sans contact mécanique dans la plage de fréquences de 50 MHz à 1000 MHz (1 GHz) (couvrant les bandes TV VHF I/III et UHF IV/V ainsi que les bandes radioamateurs 144 MHz et 432 MHz), elle supporte une tension inverse continue de blocage (VR / Ur) de 35 V, délivre un courant direct continu nominal (IF / IC) de 100 mA (avec des pointes de courant direct admissibles jusqu'à 200 mA), et présente une résistance dynamique RF extrêmement faible à l'état passant (rD typiquement inférieure à 0,5 à 0,7 Ohm sous IF = 5 mA à 100 MHz) associée à une capacité de jonction parasite ultra-réduite à l'état bloqué (CD inférieure à 0,9 à 1,2 pF sous VR = 20 V), garantissant une isolation RF maximale et une perte d'insertion minimale.
Optimisée pour la Commutation de Bandes RF (50 MHz à 1000 MHz / 1 GHz) :
Spécialement étudiée pour commuter des inductances et condensateurs d'accord dans les circuits résonnants VHF/UHF sans altérer le facteur de qualité (Q).
Très Faible Résistance Série HF à l'État Passant (rD < 0,7 Ohm sous 5 mA) :
Assure un passage quasi sans atténuation du signal RF (très faibles pertes d'insertion < 0,2 dB).
Forte Isolation RF à l'État Bloqué (Capacité Diode CD < 1,0 pF) :
Évite toute fuite capacitive résiduelle et tout couplage parasite entre canaux ou bandes non sélectionnées.
Tenue en Tension Inverse Calibrée 35 V (VR 35 V) :
Permet d'appliquer des tensions de blocage confortables (12 V à 28 V DC) assurant une désactivation franche même en présence de fortes excursions de signaux RF.
Boîtier Verre Scellé Hermétique DO-35 :
Protection intégrale contre l'humidité atmosphérique, assurant une parfaite stabilité des paramètres capacitifs sur plusieurs décennies sans dérive.
État : Pièces neuves de stock d'époque (NOS / New Old Stock), perles de verre impeccables, broches axiales étamées d'origine prêtes pour le brasage.
Identification de la Polarité & Mode de Fonctionnement RF :
Repérage Visuel : La bague colorée (noire ou bleue) sur le corps en verre repère la Cathode.
Principe de Commutation Électronique RF :
État ON (Passant) : On injecte un courant continu direct (IF = 3 mA à 10 mA) via une self de choc HF (choke) ou une résistance de découplage -> la diode présente une impédance RF quasi nulle (court-circuit RF < 0,5 Ohm).
État OFF (Bloqué) : On applique une tension inverse continue (VR = 5 V à 25 V DC) -> la diode se comporte comme un condensateur minuscule de moins de 1 pF (circuit ouvert RF haute isolation).
Contrôle Rapide au Multimètre (Mode Test Diode) :
Sens direct (Pointe rouge sur l'Anode, pointe noire sur la Cathode côté bague) : Conduction mesurée entre 0,60 V et 0,72 V (seuil de jonction silicium normal).
Sens inverse : Affichage circuit ouvert / hors échelle (0L), confirmant l'absence de fuite sous basse tension.
Domaines d'Application Clés en Atelier :
Commutation de Bandes sur Tuners TV & Radios Vintage : Sélection électronique des bobinages d'accord entre VHF bas (Bande I), VHF haut (Bande III) et UHF (Bandes IV/V) sans commutateur mécanique bruyant ou oxydable.
Commutateurs d'Antennes & Relais Statiques RF : Commutation d'émetteurs-récepteurs radioamateurs 50 MHz (6m), 144 MHz (2m) et 432 MHz (70cm).
Atténuateurs RF Variables (Atténuateurs en Pi ou en T) : Réglage continu du niveau de signal par modulation du courant continu direct dans la diode.
Circuits de Muting & Déconnexion d'Étage HF : Isolement instantané d'un préamplificateur d'antenne lors du passage en émission.
Consignes de Montage & Brasage RF :
En VHF/UHF, conserver les broches aussi courtes que possible lors de l'implantation sur le PCB pour éviter l'inductance parasite des pattes.
Pour le cambrage, maintenir impérativement la patte avec une pince plate à au moins 2 mm du corps en verre pour ne pas contraindre le scellement hermétique verre-métal du boîtier DO-35.
Réaliser la soudure avec un fer régulé propre en limitant le temps de chauffe à moins de 2 à 3 secondes.
Composants Électroniques & Semi-conducteurs RF / Fabricants Historiques : Telefunken / Philips / Siemens / ITT / Référence Constructeur : BA243 (Variantes d'écriture : BA 243 / BA243-01 / Série Pro-Electron BA243-BA244 / Équivalents : BA244, BA282, BA283, BA182, 1SS99, MA28) / Type de Composant : Diode au silicium planaire épitaxial pour commutation RF haute fréquence et bandes VHF/UHF (Silicon Epitaxial Planar RF Band-Switching Diode) / Plage de Fréquences : 50 MHz à 1000 MHz (1 GHz) / Tension Continue Inverse Max (VR / Ur) : 35 V / Courant Direct Continu Max (IF / IC) : 100 mA / Résistance Série RF à l'État Passant : Inférieure à 0,5 à 0,7 Ohm à 100 MHz sous 5 mA / Capacité Diode en Inverse : Inférieure à 0,9 à 1,2 pF sous 20 V / Chute de Tension Directe Typique (VF) : ~0,8 V sous 10 mA / Boîtier Mécanique : Axial verre scellé hermétique DO-35 (SOD-27 / DO-204AH) / Conditionnement : Lot de 2 pièces / Température de Fonctionnement : -55°C à +150°C / État : Neuf de stock d'époque (NOS / New Old Stock), perles de verre impeccables, broches étamées d'origine sans oxydation, jamais soudé. Composant RF de haute précision indispensable pour commutation de bandes VHF/UHF, tuners TV vintage, atténuateurs RF, commutateurs d'antenne et maintenance d'équipements radiofréquence.
