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  4. Lot de 5 Diodes Silicium Vintage Haute Fiabilité ESM 1N645 (225 V / 400 mA / Faible Courant de Fuite – Boîtier Verre Hermétique DO-7 / DO-35)
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New Old Stock
Lot de 5 Diodes Silicium Vintage Haute Fiabilité ESM 1N645 (225 V / 400 mA / Faible Courant de Fuite – Boîtier Verre Hermétique DO-7 / DO-35)

Lot de 5 Diodes Silicium Vintage Haute Fiabilité ESM 1N645 (225 V / 400 mA / Faible Courant de Fuite – Boîtier Verre Hermétique DO-7 / DO-35)

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Lot de 5 diodes de redressement et d'usage général silicium haute fiabilité à très faible courant de fuite (Low Leakage General Purpose Silicon Rectifier / Switching Diode) de référence 1N645 (1N 645) fabriquées par ESM (Électronique Sub-Micronique / Thomson-CSF) (conforme aux standards JEDEC / MIL-S-19500), conçu pour les restaurateurs d'équipements électroniques militaires, avioniques et de mesure vintage, techniciens de maintenance industrielle et électroniciens d'atelier.

La diode 1N645 est un composant historique de haute précision encapsulé dans un boîtier axial en verre scellé hermétique DO-7 / DO-35. Conçue à l'origine pour les applications professionnelles et militaires exigeant une excellente stabilité dans le temps et un courant de fuite inverse quasi-nul, elle offre une tension inverse répétitive de crête (VRRM / VR) de 225 V (tension de claquage inverse jusqu'à 250 V), un courant direct moyen nominal (IF(AV)) de 400 mA (à 25°C), et un courant de fuite inverse extrêmement faible (IR typiquement inférieur à 50 nA sous 225 V). Sa conception sous verre passivé sous vide lui confère une fiabilité thermique et diélectrique très supérieure aux diodes plastique conventionnelles, en faisant une référence de choix pour la restauration à l'identique de châssis anciens et le traitement de signaux haute impédance.

Composants Électroniques & Semi-conducteurs / Fabricant : ESM (Électronique Sub-Micronique / Thomson-CSF) / Référence Fabricant : 1N645 (Série 1N645 à 1N649) / Type de Composant : Diode silicium à faible fuite / Usage général & redressement haute fiabilité / Tension Inverse Répétitive Max (VRRM / VR) : 225 V / Tension Inverse Continue Max (VR) : 225 V / Tension de Claquage Inverse Min (VBR) : 250 V (sous IR = 100 µA) / Courant Direct Moyen (IF(AV)) : 400 mA (à TA = 25°C) / 150 mA (à TA = 150°C) / Courant de Surcharge Crête (IFSM) : 3,0 A à 5,0 A (onde 8,3 ms / 10 ms) / Chute de Tension Directe Max (VF) : 1,0 V sous 400 mA / Courant Inverse de Fuite Ultra-Bas (IR) : Inférieur à 50 nA sous 225 V à 25°C (inférieur à 15 µA à 150°C) / Boîtier Mécanique : Axial verre scellé hermétique DO-7 / DO-35 (SOD-27 équivalent) / Conditionnement : Lot de 5 pièces / État : Neuf de stock d'époque (NOS / New Old Stock), perles de verre parfaitement transparentes et intactes, broches étamées propres et sans oxydation, jamais soudées. Composant de collection et de maintenance haute fiabilité.

Caractéristiques Essentielles

  • Fabrication Vintage Haute Spécification ESM / Thomson :

    • Conçue selon les standards professionnels et militaires stricts (stabilité thermique, herméticité et pureté de jonction).

  • Courant de Fuite Inverse Exceptionnellement Faible (moins de 50 nA) :

    • Évite les dérives thermiques et les chutes de tension parasites sur les circuits haute impédance, échantillonneurs et intégrateurs analogiques.

  • Tenue en Tension Équilibrée (225 V / 250 V Breakdown) :

    • Assure une marge de sécurité confortable sur les rails de tension continue 48 V, 110 V et les étages de polarisation vintage.

  • Boîtier Verre Scellé Hermétique DO-7 / DO-35 :

    • Totalement insensible à l'humidité, à la poussière et au vieillissement, avec une plage de température de jonction étendue jusqu'à 175°C - 200°C.

  • Capacité en Courant de 400 mA :

    • Deux à trois fois la capacité en courant d'une diode de signal standard 1N4148 (limitée à 150-200 mA).

  • État : Pièces neuves de stock ancien d'origine (NOS), broches étamées prêtes pour montage sur circuit imprimé ou câblage point à point.

CaractéristiqueSpécifications
Marque / FabricantESM (Électronique Sub-Micronique / Thomson-CSF)
Référence Composant1N645 (1N 645)
QuantitéLot de 5 pièces
Famille TechnologiqueLow Leakage High-Reliability Silicon Diode
Tension Inverse Répétitive (VRRM)225 V
Tension Continue de Blocage (VR)225 V
Courant Direct Moyen (IF(AV))400 mA (à 25°C) / 150 mA (à 150°C)
Courant de Surcharge Crête (IFSM)3,0 A (demi-sinus)
Chute de Tension Directe (VF)1,0 V max sous 400 mA
Courant de Fuite Inverse (IR)Inférieur à 50 nA sous 225 V à 25°C
Format Mécanique / BoîtierAxial Verre Hermétique DO-7 / DO-35
Température Max de Jonction (TJ)-65°C à +175°C
État des ComposantsNeuf de stock d'origine (NOS / Broches étamées propres)
Usage PrincipalInstrumentation vintage, circuits haute impédance, alimentations de précision, avionique

Mémo Technique d'Atelier & Points Clés

  • Grandes Lignes d'Utilisation & Raccordement :

    • Repérage de Polarité : La bague foncée (noire ou argentée) imprimée sur le cylindre en verre identifie la broche Cathode (sortie du pôle positif continu).

    • Circuits Haute Impédance & Intégrateurs : Grâce à son courant de fuite de quelques dizaines de nanoampères seulement, la 1N645 est idéale pour les ponts de mesure, préamplificateurs de charge, circuits de maintien (Sample & Hold) et étages de détection où une 1N400x ou une 1N4148 introduirait trop de fuite inverse.

    • Restauration de Matériel Ancien : Permet une remise en état conforme aux plans d'origine pour les appareils de mesure de laboratoire (Tektronix, HP, Schlumberger, Metrix) et électroniques de transmission des années 1960 à 1980.

    • Précautions de Montage : Maintenir la patte avec une pince plate lors du pliage à angle droit afin de ne pas appliquer de contrainte mécanique directe sur le scellement verre-métal du boîtier.

5,00 € 5,00 € (Toutes taxes comprises)

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