Le MM2102N (fabriqué par National Semiconductor) est une mémoire vive statique monolithique NMOS de 1024 bits (1 Kbit x 1 bit / 1K x 1) (Static RAM IC).
Logée dans un boîtier DIP plastique à 16 broches (PDIP16 / DIP-16), cette puce est une référence emblématique des débuts de la micro-informatique. On la retrouve en grand nombre sur les cartes mères et extensions mémoire des micro-ordinateurs pionniers des années 70 et début 80 (tels que l'Altair 8800, l'IMSAI 8080, l'Apple I ou certaines cartes S-100), ainsi que dans l'instrumentation et les bornes d'arcade vintage.
Conçue en technologie NMOS à alimentation unique +5V (ce qui constituait une évolution majeure par rapport aux RAM plus anciennes nécessitant de multiples tensions), la MM2102N ne nécessite aucun rafraîchissement (mémoire statique). Elle utilise un bus d'adresses de 10 bits et dispose de lignes de données d'entrée et de sortie séparées.
Fabricant d'origine : National Semiconductor (NS) / Seconde source Intel 2102.
Fonction : Mémoire RAM Statique (SRAM) 1 Kbit (Organisée en 1024 mots de 1 bit).
Boîtier : PDIP16 / DIP-16 (Plastique 16 broches traversantes, pas de 2,54 mm).
Signification de la référence :
MM : Gamme des circuits intégrés mémoires monolithiques National Semiconductor.
2102 : Famille standard de SRAM 1K x 1 bits.
N : Désigne le boîtier plastique DIP (Molded Dual-In-Line Package).
Performances clés :
Capacité : 1024 bits (il faut 8 puces MM2102 pour former un banc mémoire de 1 Kilooctet / 1 Ko).
Entrées/Sorties Séparées : Ligne Data In (DI) et ligne Data Out (DO) distinctes, facilitant l'interfaçage sur les bus TTL.
Alimentation Unique : +5 V CC (compatibilité direct TTL sur les entrées et sorties).
Temps d'Accès : Dépend du grade (typiquement 500 ns à 1000 ns sur la version standard MM2102).
Pas de Rafraîchissement : Conserve les données tant que l'alimentation +5V est maintenue.
Marquages Visuels :
Logo National Semiconductor : Logo NS classique (ellipse avec "NS" ou vague "N").
MM2102N : Référence produit complète.
Date Code : Inscription à 4 chiffres (Année / Semaine de fabrication).
Encoche / Point : Repère de la broche 1 en haut à gauche.
Pinout / Brochage DIP-16 :
Broches d'adresses (A0 à A9) : 10 lignes d'adresse pour sélectionner l'un des 1024 bits.
Broche /R/W (Read / Write) : Contrôle de lecture (état haut) ou d'écriture (état bas).
Broche /CE (Chip Enable) : Validation du composant (bascule la sortie DO en haute impédance à l'état haut).
Broche Data In (DI) : Entrée de la donnée 1 bit à écrire.
Broche Data Out (DO) : Sortie de la donnée 1 bit lue.
Broche VCC (Pin 10) / GND (Pin 9) : Alimentation +5 V et Masse.
Diagnostic Express (Bit figé, erreur de parité ou zone mémoire corrompue) :
Diagnostic sur banc de RAM (ex: testeur de RAM vintage ou carte CPU) :
Comme les puces sont organisées en 1 bit, une seule puce défaillante sur un banc de 8 provoque l'erreur sur un bit précis de l'octet (ex: Bit 0, Bit 3, etc.).
Vérifie la présence du +5 V stable sur la broche 10 et la masse sur la broche 9.
Si la donnée en sortie (DO) reste bloquée à 0 V ou +5 V quel que soit le niveau écrit sur Data In (DI) pendant un cycle /R/W bas, la cellule interne ou le buffer de sortie est HS.
Équivalences directes :
Peut être remplacée à l'identique par n'importe quelle SRAM 2102 au format DIP-16 comme l'Intel 2102, AM2102 (AMD), AM21L02 (version faible consommation), Fairchild 2102, ou Signetics 2102.
Recommandations de Montage :
Support DIP16 : Préfère l'utilisation de supports DIP-16 à lyres ou contact tourné pour faciliter le remplacement sur les cartes d'époque, très sujettes aux pannes mémoire.
Découplage : Ces anciennes puces NMOS génèrent d'importants pics de courant lors du changement d'adresse. Un condensateur céramique de 100 nF est vivement recommandé au plus près de la broche VCC de chaque puce du banc mémoire.
