Se rendre au contenu
  1. Tous les produits
  2. Composants
  3. Transistors
  4. Transistor MOSFET de Puissance N-Channel STMicroelectronics STP12NM50N – Boîtier Plastique TO-220 (500 V Vds / 11 A Id – MDmesh Power MOSFET)
  5. Transistors
Liste de prix: Prix distribution Liste de prix
Liste de prix: Prix distribution Liste de prix
New Old Stock
Transistor MOSFET de Puissance N-Channel STMicroelectronics STP12NM50N – Boîtier Plastique TO-220 (500 V Vds / 11 A Id – MDmesh Power MOSFET)

Transistor MOSFET de Puissance N-Channel STMicroelectronics STP12NM50N – Boîtier Plastique TO-220 (500 V Vds / 11 A Id – MDmesh Power MOSFET)

(0 avis)
5,83 € 5,83 € (Toutes taxes comprises)

Ajouter au panier

Transistor MOSFET à canal N haute tension de technologie avancée (N-Channel Power MOSFET), issu des fabrications de STMicroelectronics, référence STP12NM50N logée dans son boîtier plastique moulé à semelle métallique TO-220AB. Conçu spécifiquement pour les alimentations à découpage (SMPS), les convertisseurs DC-DC, les PFC et les applications de commutation haute efficacité exigeant une tension de claquage de 500V sous un courant de 11A. Livré à l'état neuf de stock d'origine (NOS / Stock fabricant).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor MOSFET à canal N haute tension (N-Channel Power MOSFET)
Technologie de Semi-conducteurSilicium (Si) – Technologie MDmesh (structure à super-jonction optimisée pour de faibles pertes par conduction et commutation)
Fabricant d'OrigineSTMicroelectronics (ST)
Référence ConstructeurSTP12NM50N (Format standard JEDEC TO-220AB)
Format du BoîtierBoîtier plastique moulé TO-220AB à 3 broches avec semelle arrière métallique percée
Tension Drain-Source Max (Vds)500 V (forte tenue en tension adaptée aux alimentations connectées au réseau redressé)
Tension Grille-Source Max (Vgs)Plus ou moins 30 V (plage de commande de grille sécurisée)
Courant de Drain Continu Max (Id)11 A (à Tc = 25°C) (calibre de courant robuste pour commuter des charges substantielles)
Résistance à l'État Passant (Rds(on))Faible résistance typique (de l'ordre de 0.38 ohm), garantissant un rendement élevé et de faibles échauffements)
Puissance Dissipable Maximale (Pd / Ptot)110 W (à Tc = 25°C avec un dissipateur thermique adapté)
Plage de Température de Jonction (Tj)-55°C à +150°C
QuantitéComposant unitaire neuf de stock d'atelier (NOS)
Usage & ApplicationsAlimentations à découpage (SMPS), convertisseurs de puissance, ballasts électroniques, circuits de correction du facteur de puissance (PFC) et maintenance professionnelle

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Technologie MDmesh St-Core : Réduit drastiquement la résistance interne à l'état passant et les charges de commutation par rapport aux MOSFETs planaires classiques, améliorant nettement le rendement global du circuit.

  • Calibre de 11 A sous 500 V : Offre un compromis idéal pour commuter des puissances de plusieurs centaines de watts dans un format TO-220 compact.

  • Robustesse ST : Fabrication professionnelle garantissant une excellente tenue aux transitoires en régime dynamique.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé Boîtier TO-220 (Composant vu de face, face avant portant le marquage orientée vers vous, broches pointant vers le bas) :

    • Broche de gauche : Grille (G)

    • Broche centrale : Drain (D) (également relié électriquement à la semelle métallique arrière)

    • Broche de droite : Source (S)

    • Rappel d'atelier : La semelle métallique arrière est directement reliée au Drain et se trouve sous haute tension en fonctionnement. Prévoyez systématiquement un kit d'isolation (feuillet en silicone ou mica) et un canon isolant pour la vis si votre radiateur est relié à la masse. Appliquez une fine couche de pâte thermique.

  2. Précautions Antistatiques (ESD) & Commande de Grille :

    • Bien que les MOSFETs modernes intègrent des protections de grille, manipulez le STP12NM50N en respectant les règles antistatiques (bracelet de terre). Veillez à ce que la tension de grille ne dépasse pas la limite admissible et prévoyez une résistance de fuite pour éviter toute accumulation de charges statiques sur la grille lors du montage.

Composants Électroniques Actifs / MOSFET de puissance N-Channel STMicroelectronics STP12NM50N boîtier TO-220 neuf.