Se rendre au contenu
  1. Tous les produits
  2. Composants
  3. Transistors
  4. Lot de 4 Transistors MOSFET de Puissance N-Channel International Rectifier IRF630 – Boîtier Plastique TO-220AB (200 V Vds / 9 A – 0,35 Ohm – Commutation & Conversion)
  5. Transistors
Liste de prix: Prix distribution Liste de prix
Liste de prix: Prix distribution Liste de prix
New Old Stock
Lot de 4 Transistors MOSFET de Puissance N-Channel International Rectifier IRF630 – Boîtier Plastique TO-220AB (200 V Vds / 9 A – 0,35 Ohm – Commutation & Conversion)

Lot de 4 Transistors MOSFET de Puissance N-Channel International Rectifier IRF630 – Boîtier Plastique TO-220AB (200 V Vds / 9 A – 0,35 Ohm – Commutation & Conversion)

(0 avis)
6,67 € 6,67 € (Toutes taxes comprises)

Ajouter au panier

Lot de 4 transistors à effet de champ à grille isolée de type N (N-Channel Power MOSFET), issus des fabrications historiques d'International Rectifier (et fabricants associés), référence classique IRF630 logée dans son boîtier plastique moulé à semelle métallique TO-220AB. Conçu spécifiquement pour les alimentations à découpage (SMPS), les convertisseurs DC-DC, les ballasts électroniques, les amplificateurs audio et les circuits de commutation rapide exigeant une tension de service de 200V sous un courant de 9A. Livrés à l'état neuf de stock d'origine (NOS / Stock fabricant).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor MOSFET de puissance canal N (N-Channel Power MOSFET)
Technologie de Semi-conducteurSilicium (Si) – structure planaire DMOS
Fabricant d'OrigineInternational Rectifier (IR / Vishay / ST)
Référence ConstructeurIRF630 (Format standard JEDEC TO-220AB)
Format du BoîtierBoîtier plastique moulé TO-220AB à 3 broches avec semelle arrière métallique percée
Tension Drain-Source Max (Vds)200 V (forte tenue en tension adaptée aux alimentations redressées et bus continus intermédiaires)
Tension Grille-Source Max (Vgs)plus ou moins 20 V (marge de protection de l'oxyde de grille)
Courant de Drain Continu (Id)9 A (à Tc = 25°C – calibre de courant robuste pour charges intermédiaires)
Résistance Drain-Source à l'État Passant (Rds(on))0,35 Ohm (résistance interne optimisée pour limiter les pertes par conduction)
Puissance Dissipable Maximale (Pd)74 W (à Tc = 25°C avec un dissipateur thermique adapté)
Plage de Température de Jonction (Tj)-55°C à +150°C
Quantité du LotLot de 4 composants neufs de stock d'atelier (NOS)
Usage & ApplicationsAlimentations à découpage (SMPS), convertisseurs de tension, pilotage de charges inductives, amplificateurs audio et maintenance d'équipements électroniques professionnels vintage

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Tension de Claquage Élevée (200 V) : Offre une marge de sécurité très confortable pour commuter des circuits soumis à des tensions continues importantes ou à des pics inductifs.

  • Rapidité de Commutation : Idéal pour les applications fonctionnant à fréquence élevée grâce à des charges de grille modérées.

  • Format TO-220 Polyvalent : Permet une fixation aisée sur un radiateur standard pour évacuer efficacement les calories en régime soutenu.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé Boîtier TO-220 (Composant vu de face, face avant portant le marquage orientée vers vous, broches pointant vers le bas) :

    • Broche de gauche : Grille (Gate - G)

    • Broche centrale : Drain (D) (également relié électriquement à la semelle métallique arrière)

    • Broche de droite : Source (S)

    • Rappel d'atelier : La semelle métallique arrière est directement reliée au Drain et se trouve sous tension en fonctionnement. Prévoyez un kit d'isolation thermique (feuillet en mica ou en silicone type Sil-Pad) et un canon isolant pour la vis de fixation M3 si votre radiateur de châssis est relié à la masse. N'oubliez pas d'appliquer une fine couche de pâte thermique.

  2. Précautions ESD & Manipulation :

    • L'oxyde de grille des transistors MOSFET craint l'électricité statique. Manipulez vos composants sur un plan de travail relié à la terre et veillez à utiliser un fer à souder mis à la masse. Pensez à intégrer une diode de roue libre aux bornes des charges inductives pilotées.

Composants Électroniques Actifs / Lot de 4 transistors MOSFET N IRF630 boîtier TO-220 neuf.