Le composant D1931B (désignation standard 2SD1931B / 2SD1931) est un transistor bipolaire de puissance à structure Darlington NPN en silicium, conçu pour les applications d'amplification de puissance, de commande de charges inductives (relais, solénoïdes, moteurs pas-à-pas ou à courant continu) et d'étages de commutation régulés.
Grâce à sa configuration interne Darlington (deux transistors en cascade avec résistances de polarisation de base et diode de protection roue libre intégrée), il offre un gain en courant continu (hFE) très élevé permettant un pilotage direct à partir de sorties logiques basse puissance ou de microcontrôleurs sans nécessiter d'étage driver complexe. Le marquage complémentaire ·R152 correspond au code de lot de fabrication (Lot/Date code) et à la classe de gain constructeur.
Points Forts & Intérêt Technique
Gain en Courant Ultra-Élevé : Permet de commuter des charges de plusieurs ampères sous 100 V avec un courant de commande de base de seulement quelques milliampères.
Diode Damper / Roue Libre Intégrée : Protège la jonction contre les surtensions inductives créées par la coupure de bobines, relais ou enroulements moteurs.
Format Standard TO-220 : Montage simple sur dissipateur thermique par vis ou clip de maintien.
Mémo Technique & Points Clés d'Atelier
Applications Recommandées :
Remplacement & Réparation de Platines Électroniques : Substitution directe sur cartes de commande industrielle, alimentations régulées, modules de puissance audio ou drivers de moteurs.
Interfaces de Commande : Pilotage direct de solénoïdes et relais de puissance depuis des sorties logiques 5 V / TTL.
Consignes de Montage & Brasage :
Isolation et dissipation thermique : En cas d'utilisation sous fort courant continu (> 2 A), monter le transistor sur un dissipateur thermique adapté en intercalant un canon isolant et un mica/silpad (avec pâte thermique) si le collecteur doit être isolé électriquement du radiateur.
Test au multimètre : En mode test diode, la structure Darlington présente des seuils de tension de jonction Vbe plus élevés qu'un transistor classique (autour de 1,2 V à 1,4 V entre Base et Émetteur en raison des deux jonctions en série), ainsi que la conduction de la diode inverse entre Émetteur (+) et Collecteur (-).
Semi-conducteurs, Transistors de Puissance & Électronique de Commutation / Référence : D1931B (2SD1931B) / Marquage : D1931B · R152 / Type : NPN Darlington 100 V - 5 A / Boîtier : TO-220.
