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Lot de 4 Transistors Silicium NPN Haute Fréquence BF199 – Boîtier TO-92 (25 V – 25 mA – fT 550 MHz)

Lot de 4 Transistors Silicium NPN Haute Fréquence BF199 – Boîtier TO-92 (25 V – 25 mA – fT 550 MHz)

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Lot de quatre transistors bipolaires NPN au silicium pour petits signaux et très haute fréquence (VHF/RF), référence standard européenne Pro Electron BF199 (fabrications historiques Philips, Telefunken, SGS-Thomson, Motorola). Conçu pour les têtes HF, les oscillateurs locaux, les mélangeurs et les étages amplificateurs à fréquence intermédiaire (FI / IF) dans les récepteurs radio AM/FM et les tuners de télévision. Il se caractérise par une fréquence de transition élevée (typiquement 550 MHz à 700 MHz) et une capacité de transfert inverse extrêmement faible, garantissant une excellente stabilité sans amorçage d'oscillations parasites. Conditionné sous boîtier plastique moulé standard TO-92 (TO-226AA). Matériel à l'état neuf de stock d'origine (NOS), proposé en lot de quatre pièces.

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor bipolaire NPN silicium radiofréquence / petits signaux HF (RF/IF Transistor)
Référence ConstructeurBF199 (standard européen Pro Electron)
Quantité FournieLot de 4 transistors identiques
Format du BoîtierTO-92 / TO-226AA (boîtier plastique standard 3 broches)
Tension Collecteur-Émetteur Max (VCEO)25 V (sous IB = 0)
Tension Collecteur-Base Max (VCBO)40 V
Tension Émetteur-Base Max (VEBO)4 V
Courant de Collecteur Continu Max (IC)25 mA (0,025 A)
Courant de Collecteur Crête (ICM)50 mA (0,05 A)
Puissance Dissipable Totale (Ptot)300 mW à 500 mW à température ambiante Ta = 25°C
Gain en Courant Continu (hFE)38 à 125 (mesuré sous VCE = 10 V, IC = 7 mA)
Fréquence de Transition (fT)Typiquement 550 MHz / Min 400 MHz (mesurée sous VCE = 10 V, IC = 5 mA)
Capacité de Rétroaction Inverse (Cre)Très faible : typiquement 0,5 pF à 0,65 pF (f = 1 MHz)
Capacité de Sortie (Cc)Typiquement 1 pF (sous VCB = 10 V, f = 1 MHz)
Facteur de Bruit RF (NF)Typiquement 4 dB à 10,7 MHz / 100 MHz
Plage de Température de Jonction (Tj)-55°C à +150°C
État du Matériel100 % neuf de stock ancien (NOS - New Old Stock), broches étamées intactes
Usage & ApplicationsÉtages FI 10,7 MHz (FM) et 455 kHz (AM), préamplificateurs d'antenne VHF, oscillateurs locaux RF, mélangeurs broadcast

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Optimisé pour la Fréquence Intermédiaire (FI / IF) : Grâce à une capacité parasite de transfert collecteur-base minime (inférieure à 0,7 pF), il assure un gain élevé par étage accordé sans nécessiter de circuit de neutralisation complexe.

  • Large Bande Passante (fT jusqu'à 700 MHz) : Garantit une réserve de gain confortable sur toute la bande FM commerciale (88-108 MHz) et les bandes VHF aviation et télévision.

  • Composant Standard d'Époque pour la Radio : Remplacement direct dans de nombreux récepteurs, tuners et générateurs de mire des années 70 à 90 (Philips, Schneider, Grundig).

  • Faible Consommation Globale : Conçu pour fonctionner de manière stable sous des courants de repos très faibles (5 à 10 mA).

Conseils d'Atelier & Repérage des Broches

  1. Brochage Normalisé Européen TO-92 (Composant vu de face, méplat d'inscription vers soi, broches orientées vers le bas) :

    • Broche 1 (gauche) : Collecteur (C)

    • Broche 2 (centre) : Base (B)

    • Broche 3 (droite) : Émetteur (E)

    • (Note : Toujours vérifier l'orientation sur le schéma du circuit imprimé, certains fabricants ayant ponctuellement utilisé un brochage E-B-C).

  2. Implantation Haute Fréquence (RF / IF) :

    • Couper les broches au plus court lors de la soudure sur le circuit pour limiter les inductances parasites en série avec l'émetteur ou la base, qui risqueraient de dégrader l'accord des bobinages FI.

  3. Contrôle Électronique au Multimètre (Mode Diode) :

    • Transistor de polarité NPN : placer la pointe rouge (+) sur la Base (broche 2) et la pointe noire (-) successivement sur l'Émetteur (broche 3) puis sur le Collecteur (broche 1).

    • La chute de tension mesurée doit correspondre à une jonction silicium classique (environ 0,65 V à 0,75 V).

    • En inversant les pointes (pointe noire sur la base), le composant doit présenter un blocage complet (hors plage / infini).

Composants Électroniques Actifs & Radiofréquence / Lot de 4 transistors silicium NPN haute fréquence BF199 (25 V / 25 mA / fT 550 MHz / boîtier TO-92), composants d'origine neufs de stock (NOS).