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Lot de 2 Transistors Biporaires NPN Silicium Épitaxiaux Planaires STMicroelectronics 2N3019 – Boîtier Métallique TO-39 (80 V – 1 A)

Lot de 2 Transistors Biporaires NPN Silicium Épitaxiaux Planaires STMicroelectronics 2N3019 – Boîtier Métallique TO-39 (80 V – 1 A)

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Lot de 2 transistors bipolaires NPN au silicium pour amplification haute fréquence et moyenne puissance (Silicon NPN Planar Epitaxial High-Frequency / Medium-Power Transistor), issus des fabrications de STMicroelectronics, référence industrielle standard JEDEC 2N3019. Conçu spécifiquement pour les étages d'amplification linéaire de tension, les drivers RF, les oscillateurs et les circuits de commutation à tension intermédiaire exigeant une bonne réponse en fréquence et une robustesse thermique appréciable. Encapsulé sous boîtier métallique hermétique standard TO-39 (TO-205AD à trois broches avec ergot détrompeur). Matériel à l'état neuf de stock d'origine (NOS).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor bipolaire NPN silicium épitaxial planaire haute fréquence & moyenne puissance (NPN BJT)
Technologie de Semi-conducteurSilicium (Si) – structure épitaxiale planaire haute fiabilité
Marque / FabricantSTMicroelectronics (ST)
Quantité du LotLot de 2 pièces
Référence Constructeur2N3019 (standard JEDEC)
Format du BoîtierBoîtier métallique hermétique TO-39 / TO-205AD (cylindrique à 3 broches avec ergot détrompeur)
Tension Collecteur-Émetteur de Maintien (Uce0 / Vceo)80 V
Tension Collecteur-Base Max (Vcbo)140 V
Tension Émetteur-Base Max (Vebo)7 V
Courant de Collecteur Continu Max (Ic)1 A continu
Puissance Dissipable Maximale (Pd / Ptot)800 mW à Tamb = 25°C (à l'air libre) / jusqu'à 5 W avec radiateur TO-39
Fréquence de Transition (fT)Typiquement supérieure à 100 MHz (optimisé pour les signaux RF et les étages drivers rapides)
Plage de Température de Jonction (Tj)-65°C à +200°C
État du Matériel100 % neuf de stock ancien (NOS - New Old Stock), boîtiers brillants et broches d'une propreté immaculée sans oxydation
Usage & ApplicationsÉtages drivers d'amplificateurs audio ou RF, émetteurs/récepteurs vintage, régulateurs linéaires, générateurs d'impulsions et maintenance d'équipements professionnels

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Réponse Haute Fréquence (fT > 100 MHz) : Sa structure interne épitaxiale planaire lui permet de traiter des signaux radiofréquences et des transitoires rapides sans atténuation majeure de gain.

  • Encapsulation TO-39 Robuste : Offre une dissipation thermique supérieure au format TO-18, permettant de dissiper 800 mW à l'air libre (et davantage en y adjoignant un petit dissipateur en étoile).

  • Tension de Maintien Élevée (80 V) : Permet une intégration aisée dans des circuits fonctionnant sous des rails d'alimentation exigeants de 24 V, 36 V ou 48 V.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé TO-39 (Composant vu de dessous, broches orientées vers soi, repère d'ergot) :

    • Broche 1 : Émetteur (E) (broche située immédiatement à proximité de l'ergot détrompeur)

    • Broche 2 : Base (B)

    • Broche 3 : Collecteur (C) (relié électriquement au corps métallique du boîtier)

  2. Contrôle Électronique au Multimètre (Mode Diode) :

    • Transistor de polarité NPN : placer la touche rouge (+) sur la Base (broche 2) et la touche noire (-) successivement sur l'Émetteur (broche 1) puis sur le Collecteur / Boîtier (broche 3). L'appareil doit indiquer une chute de tension directe normale comprise entre 0,60 V et 0,72 V. En inversant les touches (touche noire sur la Base), le blocage doit être absolu (affichage "OL").

Composants Électroniques Actifs & Radiofréquences / Lot de 2 transistors NPN ST 2N3019 en boîtier métallique TO-39 (80 V / 1 A / fT 100 MHz), pièces d'origine neuves de stock (NOS).