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Transistor Silicium NPN Puissance 2N3055 – Boîtier Métallique TO-3 (60 V – 15 A – 115 W)

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Transistor bipolaire NPN au silicium de puissance (Silicon NPN Power Transistor), référence mondiale et historique 2N3055. Composant le plus célèbre de l'électronique de puissance, il est spécifiquement conçu pour les applications générales de commutation et d'amplification linéaire : alimentations stabilisées de laboratoire, étages de sortie d'amplificateurs audio de puissance, onduleurs et hacheurs de courant. Sa réputation repose sur une robustesse légendaire et une grande tolérance aux surcharges thermiques. Encapsulé sous boîtier métallique hermétique standard TO-3 (TO-204AA / format diamant à deux trous de fixation). Matériel à l'état neuf de stock d'origine (NOS).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor bipolaire NPN silicium de puissance (Silicon NPN Power Transistor)
Référence Constructeur2N3055 (standard JEDEC universel)
Complémentaire PNP AssociéMJ2955 (paire complémentaire push-pull historique)
Format du BoîtierBoîtier métallique hermétique TO-3 / TO-204AA (format diamant à deux trous)
Tension Collecteur-Émetteur de Maintien (VCEO)60 V (sous IB = 0)
Tension Collecteur-Base Max (VCBO)100 V
Tension Émetteur-Base Max (VEBO)7 V
Courant de Collecteur Continu Max (IC)15 A (15 000 mA continu)
Courant de Collecteur Crête Max (ICM)25 A (impulsionnel)
Courant de Base Continu Max (IB)7 A
Puissance Dissipable Maximale (PT)115 W à température de boîtier Tc = 25°C (décroissance linéaire de 0,657 W/°C)
Gain en Courant Continu (hFE)20 à 70 (mesuré sous VCE = 4 V, IC = 4 A) / Min 5 sous IC = 10 A
Tension de Saturation Collecteur-Émetteur (VCE(sat))Max 1,1 V (sous IC = 10 A, IB = 3,3 A)
Tension de Seuil Base-Émetteur (VBE(on))Max 1,8 V (sous VCE = 4 V, IC = 10 A)
Fréquence de Transition (fT)Minimum 0,8 MHz (mesurée sous VCE = 4 V, IC = 1 A)
Plage de Température de Jonction (Tj)-65°C à +200°C
État du Matériel100 % neuf de stock ancien (NOS - New Old Stock), broches et embase nickelées sans oxydation
Usage & ApplicationsAlimentations de laboratoire linéaires, étages de sortie audio 40W-100W, régulateurs de tension série, convertisseurs DC-DC

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Robustesse Thermique Inégalée (Boîtier TO-3) : Offre une résistance thermique jonction-boîtier extrêmement faible (Rth-jc de 1,5 °C/W max), permettant d'évacuer jusqu'à 115 W de calories lorsqu'il est monté sur un radiateur massif avec de la pâte thermique.

  • Polyvalence Universelle : Standard absolu de l'industrie, le 2N3055 s'intègre facilement dans la quasi-totalité des schémas d'époque nécessitant un transistor NPN de puissance robuste et économique.

  • Capacité en Courant de 15 A : Permet de commuter ou de réguler de fortes intensités sans effondrement brutal des performances dynamiques.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé TO-3 (Composant vu de dessous, broches orientées vers soi) :

    • Le boîtier TO-3 dispose de deux broches de commande tandis que le Collecteur est relié électriquement au corps métallique de la capsule :

      • Broche de gauche : Base (B)

      • Broche de droite : Émetteur (E)

      • Corps métallique / Collerette : Collecteur (C)

  2. Montage Thermique sur Dissipateur :

    • La semelle métallique étant connectée au Collecteur (potentiel souvent élevé), intercaler impérativement une feuille isolante (mica ou sil-pad au format TO-3) ainsi que des canons isolants pour les vis de fixation si le radiateur est relié à la masse ou au châssis.

    • Utiliser un capot de protection isolant (type Jermyn A22-4014) sur le dessus du boîtier pour éliminer tout risque de court-circuit accidentel d'atelier.

  3. Contrôle Électronique au Multimètre (Mode Diode) :

    • Transistor de polarité NPN : placer la touche rouge (+) sur la Base et la touche noire (-) successivement sur l'Émetteur puis sur le Collecteur (corps métallique).

    • L'appareil doit indiquer la chute de tension directe normale d'une jonction silicium (environ 0,55 V à 0,68 V).

    • En inversant les touches (touche noire sur la base), le composant doit présenter un blocage total (affichage hors plage / infini).

Composants Électroniques Actifs & Puissance / Transistor silicium NPN de puissance 2N3055 en boîtier TO-3 (60 V / 15 A / 115 W), pièce d'origine neuve de stock (NOS) pour la maintenance et la restauration d'alimentations et d'amplificateurs vintage.