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Transistor à effet de champ à jonction canal N à usage général (N-Channel JFET General-Purpose Amplifier and Switch), référence industrielle standard JEDEC 2N3369A. Conçu spécifiquement pour les étages d'entrée à haute impédance, les préamplificateurs de mesure, les circuits de commutation analogique et les applications linéaires de précision. Encapsulé sous boîtier métallique hermétique standard TO-18 (format cylindrique métallique à trois broches avec ergot de repérage). Matériel à l'état neuf de stock d'origine (NOS).
Impédance d'Entrée Élevée : Grâce à la technologie JFET, ce composant présente une résistance d'entrée de grille très importante, idéale pour isoler les étages sensibles et préserver les sources de signaux faibles.
Robustesse de la Capsule Métallique TO-18 : Assure une protection hermétique de la jonction silicium contre l'humidité et procure un blindage électromagnétique naturel contre les parasites environnants.
Version A Améliorée : La déclinaison avec suffixe A garantit des tolérances de fabrication plus resserrées sur les caractéristiques électriques par rapport à la version de base.
Brochage Normalisé TO-18 (Composant vu de dessous, broches orientées vers soi, repère d'ergot) :
Broche 1 : Source (S) (ou Drain selon configuration symétrique)
Broche 2 : Grille (Gate - G)
Broche 3 : Drain (D) (ou Source selon configuration symétrique)
(Note d'atelier : Sur les JFET de type 2N, le Drain et la Source sont souvent interchangeables dans les montages symétriques, mais le respect du brochage fabricant sécurise l'implantation d'origine).
Précautions ESD (Décharges Électrostatiques) :
Manipuler ces composants sensibles avec les précautions d'usage d'atelier (poste de travail relié à la terre, fer à souder isolé) pour préserver la jonction de grille contre les claquages statiques.
Composants Électroniques Actifs & JFET / Transistor JFET canal N 2N3369A en boîtier métallique TO-18, pièce d'origine neuve de stock (NOS).
