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Transistor Bipolaire PNP de Puissance 2N3792 – Boîtier Métallique TO-3 (-80 V Vceo / -80 V Vcb – -10 A – 150 W – Amplification & Commutation de Forte Puissance)

Transistor Bipolaire PNP de Puissance 2N3792 – Boîtier Métallique TO-3 (-80 V Vceo / -80 V Vcb – -10 A – 150 W – Amplification & Commutation de Forte Puissance)

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5,42 € 5,42 € (Toutes taxes comprises)

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Transistor au silicium de type PNP de puissance élevée (Silicon PNP Power Transistor), référence classique de l'industrie 2N3792 logée dans son robuste boîtier métallique étanche à bride TO-3 (TO-204AA). Conçu spécifiquement pour les étages de sortie audio push-pull de forte puissance, les alimentations stabilisées linéaires de laboratoire, les variateurs et les circuits de commutation industrielle exigeant un calibre de courant de -10A sous une tension de service de -80V. Livré à l'état neuf de stock d'origine (NOS / Stock fabricant).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor bipolaire PNP silicium de puissance (Power PNP BJT)
Technologie de Semi-conducteurSilicium (Si) – structure planaire épitaxiale de puissance
Référence Constructeur2N3792 (Format standard JEDEC TO-3 / TO-204AA)
Format du BoîtierBoîtier métallique étanche à bride TO-3 à 2 broches (le corps métallique servant de collecteur)
Tension Collecteur-Émetteur Max (Vceo)-80 V (tension de service élevée adaptée aux amplificateurs et alimentations symétriques de forte puissance)
Tension Collecteur-Base Max (Vcbo)-80 V (tension maximale admissible jonction collecteur-base)
Tension Émetteur-Base Max (Vebo)-7 V
Courant de Collecteur Continu Max (Ic)-10 A (calibre de courant très robuste pour commuter ou réguler des charges substantielles)
Gain en Courant Continu (hFE)hFE élevé et stable (compris entre 50 et 180 mesuré à Ic = -1 A, Vce = -2 V)
Puissance Dissipable Maximale (Pd / Ptot)150 W (à Tc = 25°C avec un dissipateur thermique adapté)
Plage de Température de Jonction (Tj)-65°C à +200°C
QuantitéComposant unitaire neuf de stock d'atelier (NOS)
Usage & ApplicationsÉtages de sortie audio haute fidélité, alimentations régulées de laboratoire, amplificateurs de puissance et maintenance de matériel professionnel vintage

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Dissipation Thermique Monumentale (150 W) : Le boîtier TO-3 combiné à une puce grand format permet d'évacuer des flux calorifiques très importants en régime établi.

  • Calibre de -10 A à Forte Tenue en Tension : Offre une robustesse exceptionnelle pour le pilotage de charges lourdes ou les configurations push-pull complémentaires symétriques (souvent associé au 2N3055 en complémentaire NPN).

  • Linéarité du Gain : Conçu pour maintenir des performances stables sous de fortes variations de courant dans les étages analogiques exigeants.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé Boîtier TO-3 (Composant vu de face, les deux broches vers le bas, collerette horizontale orientée vers vous) :

    • Broche de gauche : Base (B)

    • Broche de droite : Émetteur (E)

    • Corps métallique / Bride : Collecteur (C) (la collerette et le boîtier entier sont reliés électriquement au collecteur)

    • Rappel d'atelier : Le corps métallique sous tension négative de collecteur nécessite impérativement l'utilisation d'un kit d'isolation (feuillet en mica ou en silicone) et de canons isolants pour chaque vis de fixation si le radiateur du châssis est relié à la masse. N'oubliez pas d'appliquer une fine couche de pâte thermique.

  2. Contrôle Électronique au Multimètre (Mode Diode) :

    • Transistor de polarité PNP : placer la touche noire (-) sur la Base (broche de gauche) et la touche rouge (+) successivement sur l'Émetteur (broche de droite) et sur le Boîtier métallique (Collecteur). L'appareil doit indiquer une chute de tension directe normale comprise entre 0,50 V et 0,75 V. En inversant les touches, le blocage doit être absolu (OL).

Composants Électroniques Actifs / Transistor de puissance PNP 2N3792 boîtier TO-3 neuf.

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