Se rendre au contenu

Expédition gratuite sur notre gamme audio, composant, connectique...

  1. Tous les produits
  2. Composants
  3. Transistors
  4. Lot de 2 Transistors JFET Canal N 2N3966 – Boîtier Métallique 4 Broches TO-72 (30 V – 250 mW)
  5. Transistors
Liste de prix: Prix distribution Liste de prix
Liste de prix: Prix distribution Liste de prix
New Old Stock
Lot de 2 Transistors JFET Canal N 2N3966 – Boîtier Métallique 4 Broches TO-72 (30 V – 250 mW)

Lot de 2 Transistors JFET Canal N 2N3966 – Boîtier Métallique 4 Broches TO-72 (30 V – 250 mW)

(0 avis)
6,67 € 6,67 € (Toutes taxes comprises)

Ajouter au panier
Prix sur devis

Transistor à effet de champ à jonction canal N pour petits signaux et commutation (N-Channel Junction Field-Effect Transistor), référence industrielle standard JEDEC 2N3966. Conçu spécifiquement pour les étages d'entrée à haute impédance, les amplificateurs de mesure, les circuits analogiques discrets et les applications de commutation de signaux à faible bruit. Proposé ici en lot de 2 pièces. Encapsulé sous boîtier métallique hermétique à 4 broches TO-72 (variante à quatre sorties du boîtier TO-18, avec la quatrième broche reliée au blindage/boîtier). Matériel à l'état neuf de stock d'origine (NOS).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor JFET canal N pour petits signaux (N-Channel JFET)
Référence Constructeur2N3966 (standard JEDEC)
Quantité du LotLot de 2 pièces
Format du BoîtierBoîtier métallique hermétique TO-72 (cylindrique à 4 broches avec ergot de blindage)
Tension Drain-Source Max (UDS)30 V
Puissance Dissipable Maximale (PT)250 mW à température ambiante Ta = 25°C
Impédance d'EntréeTrès élevée (courant de grille minimal, idéal pour capteurs et haute impédance)
Plage de Température de Jonction (Tj)-55°C à +150°C
État du Matériel100 % neuf de stock ancien (NOS - New Old Stock), broches et embase propres sans oxydation
Usage & ApplicationsÉtages d'entrée d'amplificateurs opérationnels discrets, préamplificateurs haute impédance, oscillateurs, circuits de mesure et instrumentation scientifique vintage

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Haute Impédance d'Entrée : Grâce à la technologie JFET, le courant de fuite de grille est extrêmement faible, permettant d'interfacer des capteurs ou des sources à haute résistance interne sans charger le signal.

  • Boîtier Blindé TO-72 à 4 Broches : La quatrième broche connectée au boîtier métallique permet d'assurer un blindage électrostatique rigoureux, éliminant les interférences et les ronflements parasites lors du traitement des petits signaux.

  • Lot de 2 Pièces : Conditionnement pratique pour les ateliers de maintenance, la réalisation d'appairages différentiels ou la constitution de stocks de pièces de rechange spécialisées.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé TO-72 (Composant vu de dessous, broches orientées vers soi, repère d'ergot) :

    • Le boîtier TO-72 comporte 4 broches disposées en cercle autour d'un ergot de repérage :

      • Broche 1 : Source (S) (ou Drain selon configuration symétrique)

      • Broche 2 : Grille (Gate - G)

      • Broche 3 : Drain (D) (ou Source selon configuration symétrique)

      • Broche 4 : Boîtier / Blindage (Shield / Case) (généralement raccordée à la masse du circuit imprimé)

      • (Note d'atelier : Sur de nombreux JFET discrets, le Drain et la Source sont interchangeables, mais il convient de vérifier la disposition exacte selon le schéma du fabricant).

  2. Précautions ESD (Décharges Électrostatiques) :

    • Bien que les JFET soient moins sensibles que les MOSFET à grille isolée, manipuler ces composants avec les précautions d'usage d'atelier (poste de travail mis à la terre, fer à souder isolé) pour préserver la jonction de grille.

Composants Électroniques Actifs & JFET / Lot de 2 transistors JFET canal N 2N3966 en boîtier TO-72 à 4 broches (30 V / 250 mW), pièces d'origine neuves de stock (NOS).