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Transistor JFET Canal N Haute Fréquence 2N4416 – Boîtier Métallique TO-72 à 4 Broches (-30 V – Idss 5 mA – 300 mW)

Transistor JFET Canal N Haute Fréquence 2N4416 – Boîtier Métallique TO-72 à 4 Broches (-30 V – Idss 5 mA – 300 mW)

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Transistor à effet de champ à jonction (JFET) canal N pour très haute fréquence (N-Channel High-Frequency VHF/UHF JFET), référence industrielle standard JEDEC 2N4416 (version en boîtier métallique haute fréquence du populaire 2N4416A / BF245 / MPF102). Spécifiquement conçu pour les amplificateurs RF faible bruit, les mélangeurs haute dynamique, les oscillateurs locaux VHF/UHF et les préamplificateurs de tête à très haute impédance d'entrée. Encapsulé sous boîtier métallique hermétique standard TO-72 (TO-206AF à quatre broches avec ergot de repérage et broche de blindage boîtier reliée à la masse). Matériel à l'état neuf de stock d'origine (NOS).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor à effet de champ à jonction (JFET) canal N haute fréquence (VHF/UHF N-Channel JFET)
Technologie de Semi-conducteurSilicium (Si) – structure symétrique épitaxiale à faible bruit et très faible capacité parasite
Référence Constructeur2N4416 (standard JEDEC HF)
Format du BoîtierBoîtier métallique hermétique TO-72 / TO-206AF (cylindrique à 4 broches avec ergot détrompeur)
Nombre de Broches4 broches (Drain, Source, Grille + Broche de blindage reliée au boîtier)
Tension de Claquage Grille-Source (Ugss / V(BR)GSS)-30 V
Tension Drain-Source Max (Vds)30 V
Courant de Drain à Grille Court-circuitée (Idss)5 mA typique (plage standard 5 mA à 15 mA sous Vds = 15 V)
Puissance Dissipable Maximale (Pd / Ptot)300 mW à Tamb = 25°C
Transconductance / Pente (gfs / yfs)Élevée (typiquement 4,0 mS à 7,5 mS à 1 kHz ; excellente transconductance à 100 MHz - 400 MHz)
Facteur de Bruit (Noise Figure - NF)Très faible (typiquement 2,0 dB à 100 MHz, moins de 4,0 dB à 400 MHz)
Capacité de Rétroaction (Crss)Ultra-faible (typiquement 0,8 pF max., limite l'effet Miller)
Plage de Température de Jonction (Tj)-65°C à +200°C
État du Matériel100 % neuf de stock ancien (NOS - New Old Stock), boîtier brillant et broches impeccables sans oxydation
Usage & ApplicationsÉtages RF d'entrée de récepteurs VHF/FM, têtes HF bande aviation/marine, préamplificateurs d'antenne à large plage dynamique, sondes d'oscilloscope à très haute impédance et instrumentation de mesure vintage

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Très Faible Bruit et Haute Dynamique : Offre une immunité naturelle remarquable aux phénomènes d'intermodulation et de transmodulation par rapport aux transistors bipolaires, idéal pour les récepteurs soumis à des signaux puissants à proximité.

  • Capacités Parasites Minimes : Grâce à une capacité de transfert inverse (Crss) inférieure à 0,8 pF, il autorise des gains RF stables en VHF sans risque d'auto-oscillation, même sans circuits de neutralisation complexes.

  • Boîtier Métallique TO-72 avec Écran Électrostatique : La quatrième broche reliée directement à la carcasse métallique sert de plan de blindage interne entre l'entrée (Grille) et la sortie (Drain), améliorant l'isolation RF à très haute fréquence.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé TO-72 (Composant vu de dessous, broches orientées vers soi, repère d'ergot) :

    • Broche 1 : Drain (D) (première broche dans le sens horaire à partir de l'ergot)

    • Broche 2 : Source (S)

    • Broche 3 : Grille (Gate - G)

    • Broche 4 : Boîtier / Blindage (Case / Shield) (broche située immédiatement adjacente à l'ergot détrompeur)

  2. Implantation et Précautions Radiofréquence :

    • Souder la broche 4 (Boîtier) directement au plan de masse RF le plus proche pour assurer la continuité du blindage électrostatique.

    • Bien qu'il s'agisse d'un JFET (plus robuste aux décharges électrostatiques qu'un MOSFET à oxyde mince), maintenir des précautions antistatiques de base à l'atelier lors du brasage.

  3. Contrôle Électronique au Multimètre (Mode Diode & Ohmmètre) :

    • Canal Drain-Source (Mode Ohmmètre) : Mesurer entre Drain (broche 1) et Source (broche 2) : le canal étant déplété/passant au repos, une résistance ohmique modérée (typiquement 50 à 200 ohms) doit être relevée dans les deux sens.

    • Jonction de Grille (Mode Diode) : Placer la touche noire (-) sur la Grille (broche 3) et la touche rouge (+) successivement sur la Source (broche 2) puis sur le Drain (broche 1). L'appareil doit indiquer une conduction directe de diode silicium normale (environ 0,60 V à 0,72 V). En inversant les touches (touche rouge sur la Grille), le blocage doit être absolu ("OL").

    • Isolement du Blindage : Vérifier au multimètre l'absence totale de continuité entre la broche 4 (boîtier) et les broches 1, 2 et 3.

Composants Électroniques Actifs RF & VHF/UHF / Transistor JFET canal N 2N4416 en boîtier métallique TO-72 à 4 broches (-30 V / Idss 5 mA / 300 mW), pièce d'origine neuve de stock (NOS).