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Transistor Bipolaire PNP Puissance Haute Vitesse Secosem 2N5003 – Boîtier Métallique TO-59 (80 V – 100 V – 5 A)

Transistor Bipolaire PNP Puissance Haute Vitesse Secosem 2N5003 – Boîtier Métallique TO-59 (80 V – 100 V – 5 A)

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Transistor bipolaire PNP au silicium de puissance et de commutation rapide (High-Speed Silicon PNP Power Transistor) d'origine constructeur historique français Sesco / Secosem, référence industrielle JEDEC 2N5003, dont le pendant NPN complémentaire est le 2N5002. Conçu spécifiquement pour les applications exigeantes de commutation rapide de forte puissance, les convertisseurs DC-DC, les alimentations à découpage et les circuits d'amplification d'impulsions industriels ou militaires. Encapsulé sous boîtier métallique hermétique standard TO-59 (boîtier robuste à collerette métallique avec scellement verre-métal). Matériel à l'état neuf de stock d'origine (NOS).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor bipolaire PNP silicium de puissance et commutation rapide (High-Speed Power PNP Transistor)
Marque / FabricantSesco / Secosem (Fabrication française historique)
Référence Constructeur2N5003 (standard JEDEC)
Complémentaire NPN Associé2N5002 (paire complémentaire push-pull symétrique)
Format du BoîtierBoîtier métallique hermétique TO-59 (cylindrique à collerette de fixation)
Tension Collecteur-Émetteur de Maintien (VCEO)80 V (sous IB = 0)
Tension Collecteur-Base Max (VCBO)100 V
Tension Émetteur-Base Max (VEBO)6 V
Courant de Collecteur Continu Max (IC)5 A (5 000 mA continu)
Courant de Collecteur Crête Max (ICM)10 A (impulsionnel)
Puissance Dissipable Maximale (PT)60 W à température de boîtier Tc = 25°C
Gain en Courant Continu (hFE)20 à 100 (selon plage de courant collecteur)
Plage de Température de Jonction (Tj)-65°C à +200°C
État du Matériel100 % neuf de stock ancien (NOS - New Old Stock), broches et embase nickelées sans oxydation
Usage & ApplicationsCommutation rapide de forte puissance, convertisseurs statiques, alimentations à découpage, amplificateurs d'impulsions industriels

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Vitesse de Commutation Élevée : Conçu pour minimiser les temps de stockage et de commutation dans les applications de découpage lourd, réduisant les pertes par transition à moyenne et haute fréquence.

  • Fabrication Européenne de Haute Fiabilité (Secosem) : Composant issu du savoir-faire historique de la SESCO/Secosem, garantissant une construction robuste sous boîtier hermétique TO-59 étanche aux environnements sévères.

  • Symétrie Complémentaire (2N5002 / 2N5003) : Permet la réalisation d'étages push-pull complémentaires parfaitement équilibrés pour les applications de commande linéaire ou de commutation en pont.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé TO-59 (Composant vu de dessous, repères de broches) :

    • Le boîtier TO-59 dispose généralement de connexions de base et d'émetteur sous forme de broches isolées traversantes, tandis que le Collecteur est relié électriquement au corps métallique de la capsule ou à la collerette de fixation.

  2. Montage Thermique sur Dissipateur :

    • La semelle métallique étant connectée au Collecteur (potentiel actif), intercaler impérativement une rondelle isolante (mica ou isolateur spécifique au format TO-59) si le radiateur ou le châssis est relié à la masse générale.

    • Serrer modérément pour assurer un bon contact thermique sans déformer la collerette de la capsule hermétique.

  3. Contrôle Électronique au Multimètre (Mode Diode) :

    • Transistor de polarité PNP : placer la touche noire (-) sur la Base et la touche rouge (+) successivement sur l'Émetteur puis sur le Collecteur (corps métallique). L'appareil doit indiquer la chute de tension directe normale d'une jonction silicium (environ 0,55 V à 0,68 V). En inversant les touches, le composant doit présenter un blocage total.

Composants Électroniques Actifs & Puissance / Transistor PNP haute vitesse Secosem 2N5003 en boîtier TO-59 (80 V / 100 V / 5 A), pièce d'origine française neuve de stock (NOS).

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