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New Old Stock
Lot de 2 Transistors Silicium NPN Haute Tension SGS / SGS-Thomson 2N5682 – Boîtier Métallique TO-39 (120 V – 1 A – hFE 40)

Lot de 2 Transistors Silicium NPN Haute Tension SGS / SGS-Thomson 2N5682 – Boîtier Métallique TO-39 (120 V – 1 A – hFE 40)

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Paire de transistors bipolaires NPN au silicium haute tension et moyenne puissance (Silicon NPN High-Voltage Medium-Power Transistor) d'origine constructeur SGS (SGS Microelettronica / SGS-Thomson / STMicroelectronics), référence normalisée JEDEC 2N5682. Spécifiquement développé pour les étages d'attaque (drivers) haute tension dans les amplificateurs audio professionnels, les étages de déviation horizontale et verticale vidéo, les amplificateurs opérationnels haute tension discrets, les alimentations stabilisées linéaires et les commutateurs industriels jusqu'à 120 V. Il est encapsulé sous boîtier métallique hermétique standard TO-39 (TO-205AD) offrant une excellente robustesse thermique et un blindage électrostatique naturel. Matériel à l'état neuf de stock d'origine (NOS), proposé en lot de deux pièces.

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor bipolaire NPN silicium moyenne puissance haute tension (High-Voltage NPN Transistor)
Marque / FabricantSGS (SGS Microelettronica / SGS-Thomson / STMicroelectronics)
Référence Constructeur2N5682 (standard JEDEC)
Quantité FournieLot de 2 transistors identiques
Complémentaire PNP Associé2N5680 (paire complémentaire push-pull haute tension)
Format du BoîtierBoîtier métallique hermétique TO-39 (TO-205AD) à 3 broches avec ergot détrompeur
Tension Collecteur-Émetteur de Maintien (VCEO)120 V (sous IB = 0)
Tension Collecteur-Base Max (VCBO)120 V
Tension Émetteur-Base Max (VEBO)4 V
Courant de Collecteur Continu (IC)1 A
Courant de Collecteur Crête (ICM)1,5 A (impulsionnel)
Courant de Base Continu (IB)0,5 A
Puissance Dissipable Totale (PD)1 W à température ambiante Ta = 25°C (jusqu'à 10 W à Tc = 25°C avec dissipateur adapté)
Gain en Courant Continu (hFE)Typiquement 40 à 150 (mesuré sous VCE = 2 V, IC = 250 mA) / min 30 sous IC = 500 mA
Tension de Saturation Collecteur-Émetteur (VCE(sat))Typiquement 0,3 V / Max 0,6 V (sous IC = 250 mA, IB = 25 mA) / Max 1,0 V à IC = 1 A
Fréquence de Transition (fT)Minimum 30 MHz (mesurée sous VCE = 10 V, IC = 100 mA, f = 10 MHz)
Plage de Température de Jonction (Tj)-65°C à +200°C
État du Matériel100 % neuf de stock ancien (NOS - New Old Stock), broches étamées d'origine non déformées
Usage & ApplicationsDrivers d'amplificateurs audio haute tension (rails +/-50 V), amplificateurs vidéo, régulateurs 100 V, commandes de relais industriels

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Excellente Tenue en Tension (120 V) : Conçu pour fonctionner sereinement sur des rails d'alimentation audio symétriques élevés (typiquement +/-45 V à +/-55 V DC) sans risque d'avalanche lors des fortes amplitudes de modulation.

  • Appairage Symétrique avec le 2N5680 : Constitue avec le modèle PNP 2N5680 une paire complémentaire de référence pour attaquer les étages finaux de forte puissance (comme les MJ15024/MJ15025 ou 2N3773).

  • Capacité Thermique du Boîtier TO-39 : Permet d'évacuer jusqu'à 10 W en continu dès lors qu'il est équipé d'une collerette ou d'un dissipateur thermique clipsable en aluminium (type étoile), assurant une polarisation stable en classe A.

  • Encapsulation Hermétique Métal-Verre : La capsule étanche en acier protège la puce silicium contre l'oxydation et l'humidité, garantissant une régularité de gain et des courants de fuite minimes après plusieurs décennies de conservation.

Conseils d'Atelier & Repérage des Broches

  1. Brochage Normalisé TO-39 (Composant vu de dessous, broches pointées vers soi, ergot orienté vers la gauche) :

    • En regardant l'embase avec l'ergot détrompeur positionné vers la gauche (position 8h / 9h) :

      • Broche 1 (la plus proche de l'ergot) : Émetteur (E)

      • Broche 2 (en haut dans le sens horaire) : Base (B)

      • Broche 3 (à droite) : Collecteur (C) (relié électriquement au capot métallique extérieur)

  2. Dissipation Thermique en Étage Driver :

    • Dans les montages audio polarisés sous un courant de repos soutenu (30 mA à 60 mA sous 80 V à 100 V de tension rail à rail), clipser impérativement un radiateur pour boîtier TO-39 / TO-5.

    • Le boîtier étant au potentiel du Collecteur, veiller à ce que les ailettes du dissipateur ne viennent pas toucher la masse châssis ou un composant adjacent.

  3. Contrôle Électronique au Multimètre (Mode Diode) :

    • Transistor de polarité NPN : placer la touche rouge (+) sur la Base (broche 2) et la touche noire (-) successivement sur l'Émetteur (broche 1) puis sur le Collecteur (broche 3 ou boîtier métallique).

    • Le multimètre doit indiquer la chute de tension directe normale d'une jonction silicium (environ 0,65 V à 0,72 V).

    • En inversant les touches (touche noire sur la base), le circuit doit afficher un blocage complet (affichage hors plage / infini).

Composants Électroniques Actifs & Audio Hi-Fi / Lot de 2 transistors silicium NPN haute tension SGS / SGS-Thomson 2N5682 (120 V / 1 A / hFE 40 / boîtier TO-39), composants d'origine neufs de stock (NOS).

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