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Phototransistor amplificateur Darlington NPN au silicium à très haute sensibilité lumineuse (Silicon NPN Photo-Darlington Amplifier Transistor), issu des fabrications historiques de Motorola Semiconductor, référence industrielle standard JEDEC 2N5780 (famille optoélectronique 2N5777 à 2N5780). Conçu pour convertir un faible flux lumineux (visible et proche infrarouge) en un courant de sortie directement utilisable sans étage d'amplification intermédiaire. Spécifiquement employé dans les lecteurs optiques industriels, barrières photoélectriques, détecteurs de passage, fins de course sans contact, encodeurs et commandes directes de petits relais ou voyants. Encapsulé sous boîtier plastique transparent ou translucide au gabarit standard TO-92 (format bombé faisant office de lentille optique intégrée à 3 broches). Matériel à l'état neuf de stock d'origine (NOS).
Sensibilité Lumineuse Élevée : Grâce à l'architecture interne Darlington à deux transistors montés en cascade, un éclairement modeste génère un photocourant de collecteur suffisant pour actionner directement une bobine de relais 12 V ou 24 V.
Broche de Base Disponible : Contrairement à de nombreux phototransistors à deux broches simples, la broche de Base est sortie sur le boîtier. Cela permet d'ajuster le seuil de basculement ou la sensibilité via une résistance de fuite Base-Émetteur, ou encore d'accélérer le temps de blocage (Toff).
Optique Moulée Intégrée : La forme arrondie de la résine transparente agit comme un dôme concentrateur, resserrant l'angle de réception utile et augmentant l'immunité aux lumières ambiantes diffuses latérales.
Brochage Normalisé (Boîtier TO-92 vu de dessous, broches orientées vers soi, méplat vers le haut) :
Broche 1 : Émetteur (E)
Broche 2 : Base (B)
Broche 3 : Collecteur (C)
(Note d'atelier : Toujours se référer à la lentille frontale pour aligner l'axe de détection optique en face de la diode émettrice IR ou de la source lumineuse).
Utilisation de la Broche de Base :
En mode phototransistor classique : laisser la broche de Base en l'air (non connectée).
Pour réduire la sensibilité aux lumières parasites ou accélérer la coupure : placer une résistance de forte valeur (typiquement 100 kohms à 1 Mohm) entre la Base et l'Émetteur.
Contrôle Électronique au Multimètre en Atelier :
Test d'obscurité (Mode Diode) : À l'obscurité totale, le passage Collecteur-Émetteur est bloqué (affichage "OL" au multimètre).
Test dynamique sous lumière (Mode Diode ou Ohmmètre) : Placer la touche rouge (+) sur le Collecteur et la noire (-) sur l'Émetteur. En éclairant la lentille avec une lampe ou la torche d'un smartphone, la conduction s'établit instantanément et la tension de seuil affichée chute vers zéro (ou résistance basse en ohmmètre). En masquant la lumière, le composant se rebloque immédiatement.
Composants Électroniques Optoélectroniques Actifs / Phototransistor Darlington NPN Motorola 2N5780 en boîtier optique TO-92 (40 V / 250 mA / 200 mW), pièce d'origine neuve de stock (NOS).
