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Transistor MOSFET de Puissance Canal N Toshiba 2SK2038 – Boîtier Plastique de Puissance TO-3P (800 V – 5 A – 125 W)

Transistor MOSFET de Puissance Canal N Toshiba 2SK2038 – Boîtier Plastique de Puissance TO-3P (800 V – 5 A – 125 W)

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Transistor MOSFET de puissance à canal N (N-Channel Power MOSFET), issu des fabrications spécialisées de Toshiba, référence industrielle 2SK2038 (marquage court K2038). Conçu spécifiquement pour les applications de commutation haute vitesse et fort courant, les alimentations à découpage (SMPS), les convertisseurs DC-DC, les ballasts électroniques et les circuits de conversion d'énergie sous haute tension. Encapsulé sous boîtier plastique de puissance à languette métallique non isolée standard TO-3P (permettant un transfert thermique optimal vers un radiateur en aluminium). Matériel à l'état neuf de stock d'origine (NOS).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor MOSFET de puissance canal N (N-Channel Power MOSFET)
Technologie de Semi-conducteurSilicium (Si) – structure MOS verticale pour commutation haute tension et haute vitesse
Marque / FabricantToshiba (Japon)
Référence Constructeur2SK2038 (marquage court K2038)
Format du BoîtierBoîtier plastique de puissance TO-3P à 3 broches avec languette métallique de fixation
PolaritéCanal N (N-Channel)
Tension Drain-Source Max (VDS)800 V
Tension Grille-Source Max (VGS)+/-30 V
Courant de Drain Continu Max (ID)5 A continu (fortes pointes admissibles en commutation)
Puissance Dissipable Maximale (PD)125 W (à Tc = 25°C avec radiateur thermique adapté)
Résistance à l'État Passant (Rds(on))Environ 1.8 ohms à 2.2 ohms (selon conditions de grille)
Plage de Température de Jonction (Tj)-55°C à +150°C
État du Matériel100 % neuf de stock ancien (NOS - New Old Stock), corps intègres et broches d'une propreté immaculée sans oxydation
Usage & ApplicationsAlimentations à découpage (SMPS), convertisseurs de tension secteur, alimentations d'équipements industriels et maintenance de matériel électronique vintage

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Tenue en Tension Très Élevée (800 V) : Offre une marge de sécurité importante pour la commutation directe sur réseaux redressés ou dans les convertisseurs soumis à des pics de tension transitoires sévères.

  • Capacité de Dissipation Thermique (125 W) : Conçu pour encaisser des flux thermiques massifs sous réserve d'être correctement monté sur un dissipateur en aluminium adéquat.

  • Languette Métallique TO-3P : Permet un transfert thermique direct optimal (prévoir un kit d'isolation mica/silpad si le radiateur est relié à un autre potentiel, la languette étant connectée électriquement au Drain).

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé Boîtier TO-3P (Composant vu de face, face plane marquée vers soi, broches orientées vers le bas) :

    • Broche 1 (gauche) : Grille (Gate - G)

    • Broche 2 (centre) : Drain (D) (relié électriquement à la languette métallique arrière)

    • Broche 3 (droite) : Source (S)

  2. Précautions de Manipulation (ESD) : Comme pour tout composant MOSFET, veillez à manipuler le 2SK2038 en portant un bracelet antistatique ou en déchargeant l'électricité statique de vos mains avant de toucher les broches, afin de préserver l'intégrité de l'oxyde de grille.