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Transistor Bipolaire PNP Germanium AF124 – Boîtier Métallique TO-72 à 4 Broches (-32 V – -10 mA – Haute Fréquence & Amplification RF)

Transistor Bipolaire PNP Germanium AF124 – Boîtier Métallique TO-72 à 4 Broches (-32 V – -10 mA – Haute Fréquence & Amplification RF)

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Transistor au germanium de type PNP pour la haute fréquence (Germanium PNP RF / IF Small Signal BJT), référence européenne classique AF124, logé dans son boîtier métallique blindé à 4 broches TO-72. Conçu spécifiquement pour les étages d'amplification RF et FI (fréquence intermédiaire) dans les récepteurs radio portables, les tuners et les équipements de télécommunication vintage. Livré à l'état neuf de stock d'origine (NOS / Stock fabricant).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor bipolaire PNP au germanium haute fréquence (Germanium PNP RF / IF Small Signal BJT)
Technologie de Semi-conducteurGermanium (Ge) – structure allié-diffusé ou micro-alliée haute fréquence
Référence ConstructeurAF124 (Standard européen Pro-Electron pour les applications RF)
Format du BoîtierBoîtier métallique blindé étanche TO-72 à 4 broches (avec connexion de blindage/boîtier reliée)
ConditionnementPièce unitaire (ou lot selon conditionnement)
Tension Collecteur-Émetteur Max (Vceo)-32 V
Tension Collecteur-Base Max (Vcbo)-32 V
Tension Émetteur-Base Max (Vebo)-0,5 V (ou -1 V selon tolérances de jonction RF)
Courant de Collecteur Continu Max (Ic)-10 mA (-0,01 A)
Puissance Dissipable Maximale (Pd / Ptot)50 mW à 100 mW (à Tamb = 25°C - sensible à la température)
Plage de Température de Jonction (Tj)-65°C à +75°C (stabilité thermique critique propre au germanium HF)
État du Matériel100 % neuf de stock ancien (NOS - New Old Stock), boîtiers métalliques brillants et broches d'une propreté immaculée sans oxydation
Usage & ApplicationsÉtages d'amplification RF et FI de récepteurs radio vintage, récepteurs de radiodiffusion AM/FM anciens, tuners et collection technique

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Blindage Intégré du Boîtier TO-72 : La quatrième broche permet de relier le boîtier métallique au plan de masse, offrant un blindage électromagnétique parfait indispensable dans les étages haute fréquence sensibles.

  • Performance Haute Fréquence Germanium : Optimisé pour offrir un gain stable et une faible capacité de retour dans les circuits d'amplification hertzienne de première génération.

  • Comportement Électrique Particulier : Les transistors au germanium se caractérisent par un seuil de conduction très bas (environ 0,2 V) et un courant de fuite inverse caractéristique propre à cette technologie historique.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé Boîtier Métallique TO-72 à 4 Broches (Composant vu du dessous, broches pointant vers le bas, repère d'ergot sur la collerette) :

    • Broche 1 : Émetteur (E) (située à proximité immédiate de l'ergot de la collerette)

    • Broche 2 : Base (B)

    • Broche 3 : Collecteur (C)

    • Broche 4 : Blindage / Boîtier (Shield / Case) (généralement raccordée à la masse de la carte RF)

    • Rappel d'atelier : Repérez scrupuleusement l'ergot de détrompage avant le câblage. Utilisez une pince brucelle thermique ou thermique-dissipatrice lors du brasage pour protéger les jonctions fragiles au germanium de la chaleur du fer à souder.

  2. Contrôle Électronique au Multimètre (Mode Diode) :

    • Transistor au Germanium PNP : placer la touche noire (-) sur la Base et la touche rouge (+) successivement sur le Collecteur et sur l'Émetteur. La chute de tension directe mesurée est typiquement comprise entre 0,15 V et 0,25 V. En inversant les touches, le courant de fuite inverse (Icbo) sera plus élevé qu'au silicium, ce qui est normal.

Composants Électroniques Actifs / Transistor Germanium PNP RF AF124 boîtier TO-72 neuf.