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Transistor de puissance bipolaire PNP en configuration Darlington monolithique intégrée (Silicon PNP Epitaxial-Base Power Darlington Transistor), référence industrielle standard BDX64B (déclinaison 100 V de la série professionnelle BDX64 / BDX64A / BDX64B / BDX64C ; issu historiquement de fabricants tels que Philips, RTC, SGS-Thomson ou Texas Instruments). Complémentaire symétrique direct du transistor NPN BDX65B. Conçu pour fournir un gain en courant extrêmement élevé sous de forts débits, il simplifie les étages de commande en étant directement pilotable par des circuits logiques ou des étages de préamplification à faible niveau. Particulièrement adapté aux étages de sortie audio de forte puissance, aux régulateurs de tension industriels, aux hacheurs, aux commandes de solénoïdes et moteurs à courant continu, ainsi qu'aux amplificateurs de servomécanismes. Encapsulé sous le robuste boîtier métallique hermétique TO-3 (TO-204AA à deux broches avec fixation par vis sur semelle). Matériel à l'état neuf de stock d'origine (NOS).
Architecture Darlington Intégrée : Réunit deux transistors montés en cascade, des résistances de polarisation de base intégrées et une diode inverse de protection (diode d'amortissement / damper) sur la même puce silicium.
Gain en Courant Considérable (hFE > 1000) : Permet de commander une charge consommant jusqu'à 12 A avec seulement quelques milliampères de courant de base, éliminant le besoin d'un étage driver intermédiaire complexe.
Tension de Maintien de 100 V : Offre une marge de travail confortable pour des alimentations industrielles 48 V ou des amplificateurs audio alimentés sous rails symétriques jusqu'à +/-40 V à +/-45 V.
Protection Intégrée contre les Retours Inductifs : La diode inverse interne connectée entre Collecteur et Émetteur absorbe les tensions de claquage inverses lors de la coupure de charges selfiques (bobines, relais, enroulements de moteur).
Brochage Normalisé TO-3 (Composant vu de dessous, broches orientées vers soi) :
Broche de gauche : Base (B)
Broche de droite : Émetteur (E)
Semelle métallique / Boîtier : Collecteur (C) (le collecteur est relié à la carcasse métallique)
Gestion Thermique & Montage Mécanique :
En raison de la tension de déchet plus élevée d'un Darlington à l'état passant (Vce sat typiquement comprise entre 1,5 V et 2 V à fort courant), la puissance calorifique dissipée est plus importante qu'avec un transistor simple.
L'emploi d'un dissipateur thermique largement dimensionné avec pâte thermique homogène est obligatoire. En cas de montage isolé sur châssis, prévoir un intercalaire mica TO-3 et des canons isolants pour les vis.
Contrôle Électronique au Multimètre (Mode Diode) :
Rappel d'atelier : En raison des résistances internes et de la cascade de deux jonctions, les mesures diffèrent d'un transistor simple.
Jonction Base-Émetteur : Touche noire (-) sur la Base et touche rouge (+) sur l'Émetteur : l'appareil affiche l'addition de deux jonctions PN, soit une chute de tension comprise entre 1,1 V et 1,4 V (et non 0,6 V). En inversant les touches, la résistance interne intégrée peut donner une valeur ohmique mesurable (ne pas confondre avec un court-circuit).
Jonction Base-Collecteur : Touche noire (-) sur la Base et touche rouge (+) sur la Semelle (Collecteur) : chute directe normale d'une diode silicium simple (0,60 V à 0,72 V).
Diode Inverse Interne (Collecteur-Émetteur) : Placer la touche noire (-) sur le Collecteur (semelle) et la touche rouge (+) sur l'Émetteur : conduction directe de la diode interne visible (environ 0,60 V à 0,75 V). En inversant (touche rouge sur semelle), le passage doit être bloqué ("OL").
Composants Électroniques Actifs & Puissance Industrielle / Transistor PNP Darlington Silicium BDX64B en boîtier métallique TO-3 (-100 V / -12 A / 117 W), pièce d'origine neuve de stock (NOS).
