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Transistor Bipolaire NPN International Power Semiconductors (iPS) BDY71 – Boîtier Métallique de Puissance TO-66 (55 V – 4 A – 29 W – Commutation & Amplification Basse Fréquence)

Transistor Bipolaire NPN International Power Semiconductors (iPS) BDY71 – Boîtier Métallique de Puissance TO-66 (55 V – 4 A – 29 W – Commutation & Amplification Basse Fréquence)

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Transistor au silicium de type NPN de puissance moyenne (Silicon NPN Power BJT), issu des fabrications historiques de International Power Semiconductors (iPS), référence classique BDY71 au format boîtier métallique compact TO-66. Conçu spécifiquement pour les étages de commande, les régulateurs de tension linéaires de taille moyenne et les circuits d'amplification audio ou industriels exigeant un composant robuste au format réduit. Livré à l'état neuf de stock d'origine (NOS / Stock fabricant).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor bipolaire NPN silicium de puissance moyenne (NPN Power BJT)
Technologie de Semi-conducteurSilicium (Si) – structure planaire ou mesa épitaxiale
Fabricant d'OrigineInternational Power Semiconductors (iPS)
Référence ConstructeurBDY71 (Standard européen Pro-Electron)
Format du BoîtierBoîtier métallique blindé à 2 broches TO-66 (le collecteur étant relié au corps métallique et aux vis de fixation)
ConditionnementPièce unitaire (ou lot selon conditionnement)
Tension Collecteur-Émetteur Max (Uce0 / Vceo)55 V
Tension Collecteur-Base Max (Ucb / Vcbo)60 V (selon spécifications constructeur d'époque)
Tension Émetteur-Base Max (Ueb / Vebo)5 V
Courant de Collecteur Continu Max (Ic)4 A
Puissance Dissipable Maximale (Pd / Ptot)29 W (à Tc = 25°C avec un radiateur thermique adapté au format TO-66)
Gain en Courant Continu (hFE)Linéarité optimisée pour les étages de commande et de régulation
Plage de Température de Jonction (Tj)-65°C à +200°C
État du Matériel100 % neuf de stock ancien (NOS - New Old Stock), boîtiers métalliques brillants et broches d'une propreté immaculée sans oxydation
Usage & ApplicationsAlimentations régulées linéaires compactes, amplificateurs de puissance moyenne, circuits de commande industriels et maintenance d'équipements électroniques professionnels vintage

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Format TO-66 Intermédiaire : Offre un compromis idéal entre les petits boîtiers TO-39 et les grands boîtiers TO-3, permettant une dissipation thermique de 29 watts dans un encombrement restreint.

  • Robustesse iPS : Composant semi-conducteur professionnel conçu pour tolérer les régimes de fonctionnement continus exigeants dans l'industrie et l'audio.

  • Fiabilité des Séries Européennes : Référence classique pour la maintenance de cartes électroniques de régulation et de commande des années 1970 à 1990.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé Boîtier Métallique TO-66 (Composant vu du dessous, broches pointant vers le bas, corps métallique orienté vers le haut) :

    • Broche de gauche : Base (B)

    • Broche de droite : Émetteur (E)

    • Corps / Semelle Métallique : Collecteur (C) (le boîtier tout entier constitue la connexion de collecteur)

    • Rappel d'atelier : En raison de la présence du collecteur sur la semelle métallique, utilisez impérativement une semelle isolante adaptée au format TO-66 et un canon isolant pour la vis de fixation si le radiateur du châssis est relié à la masse générale. N'oubliez pas d'appliquer de la pâte thermique.

  2. Contrôle Électronique au Multimètre (Mode Diode) :

    • Transistor de polarité NPN : placer la touche rouge (+) sur la Base et la touche noire (-) successivement sur l'Émetteur et sur le Collecteur (corps métallique). L'appareil doit indiquer une chute de tension directe normale comprise entre 0,40 V et 0,65 V. En inversant les touches, le blocage doit être absolu (OL).

Composants Électroniques Actifs / Transistor NPN iPS BDY71 boîtier TO-66 neuf.