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Photodiode PIN au silicium haute rapidité et haute sensibilité pour le proche infrarouge (High-Speed Silicon PIN Photodiode / Infrared Detector) de référence standard universelle BPW50 (BPW 50) fabriquée par ZETEX SEMICONDUCTORS (Zetex / Diodes Inc. / Telefunken / Vishay), conçue pour les techniciens de maintenance optoélectronique, concepteurs de barrières infrarouges industrielles, spécialistes des transmissions optiques en espace libre, télémètres laser et électroniciens d'atelier.
La photodiode Zetex BPW50 est un composant optoélectronique de précision encapsulé dans le robuste boîtier métallique hermétique standard TO-5 (TO-205AA / TO-39) surmonté d'une fenêtre optique plane en verre. Spécialement optimisée pour la réception de flux infrarouges faibles avec un rapport signal sur bruit maximal, elle dispose d'une large surface photosensible active de 5,0 mm² (environ 2,24 mm x 2,24 mm). Elle offre une sensibilité spectrale étendue allant de 750 nm à 1100 nm avec un pic de sensibilité centré dans le proche infrarouge à 925 nm (parfaitement calé sur l'émission des diodes émettrices IR à l'arséniure de gallium GaAs et GaAlAs). Grâce à sa structure PIN à très faible capacité de jonction (typiquement 11 pF sous polarisation inverse VR = 5 V) et un temps de montée/descente très court de 50 ns à 60 ns, elle garantit une excellente bande passante pour la détection d'impulsions optiques rapides, la télécommande industrielle longue portée et l'instrumentation optique.
Composants Optoélectroniques & Semi-conducteurs / Fabricant : ZETEX SEMICONDUCTORS (Zetex / Diodes Inc.) / Référence Fabricant : BPW50 (Série BPW / Standard TO-5) / Type de Composant : Photodiode PIN au silicium pour proche infrarouge (High-Speed Silicon PIN Photodiode) / Surface Sensible Active : 5,0 mm² / Plage de Sensibilité Spectrale : 750 nm à 1100 nm (proche infrarouge) / Longueur d'Onde de Sensibilité Maximale (lambda max) : 925 nm (calée sur émetteurs IR standards) / Photocourant Typique (Ira) : 45 µA (sous éclairement standard Ee = 1 mW/cm² à 950 nm) / Courant d'Obscurité (Dark Current Id) : Inférieur à 2 nA typique / 10 nA max sous VR = 10 V à 25°C / Tension Inverse Maximale (VR) : 32 V (tension de claquage VBR > 60 V) / Temps de Réponse (tr / tf) : 50 ns à 60 ns (sous VR = 5 V et RL = 50 Ohms) / Capacité de Jonction (C) : Typiquement 11 pF à 15 pF sous VR = 5 V (40 pF sous 0 V) / Angle d'Ouverture / Demi-Angle de Réception : +/- 50 degrés à +/- 60 degrés / Boîtier Mécanique : Métallique étanche TO-5 / TO-39 avec fenêtre optique plane en verre (scellement verre-métal hermétique) / État : Neuf de stock d'origine (NOS / New Old Stock), hublot en verre parfaitement limpide sans micro-rayures, corps métallique brillant, broches dorées ou étamées propres et sans oxydation, jamais soudé. Composant de référence pour barrières de sécurité IR industrielles, récepteurs laser et instrumentation optique.
Grande Surface Photosensible (5 mm²) :
Capte un flux de photons important même sous très faible niveau d'éclairement ou à grande distance, sans exiger de lentille de focalisation complexe.
Pic de Sensibilité Infrarouge Calibré (925 nm) :
Adaptation idéale aux émetteurs infrarouges les plus courants du marché (LEDs et diodes laser 850 nm, 880 nm, 905 nm, 940 nm et 950 nm).
Temps de Réponse Court & Faible Capacité (11 pF / 50 ns) :
Permet la détection de signaux modulés haute fréquence (porteuses 36 kHz - 500 kHz, télécommandes industrielles et télémétrie laser pulsée).
Courant d'Obscurité Ultra-Bas (< 2 nA) :
Assure un rapport signal sur bruit très élevé dans les amplificateurs de transimpédance de mesure et de détection seuil.
Boîtier Métallique Hermétique TO-5 à Hublot Verre :
Blindage électromagnétique naturel contre les parasites extérieurs (CEM), robustesse mécanique absolue et insensibilité totale aux variations hygrométriques.
Qualité Constructeur Zetex Semiconductors :
Fiabilité industrielle reconnue pour les environnements sévères (barrières de cellules photoélectriques, lignes de fabrication, matériel médical).
État : Pièces neuves d'origine (NOS), prêtes pour insertion et brasage.
Identification des Broches (Boîtier TO-5 / Vue de dessous avec ergot détrompeur) :
Broche Cathode : Située à proximité immédiate de l'ergot métallique du boîtier (sur la plupart des séries TO-5, le boîtier métallique est électriquement relié à la Cathode pour faire office de blindage CEM naturel relié à la masse RF).
Broche Anode : Broche opposée à l'ergot (isolée du boîtier métallique par une perle de verre).
Modes de Fonctionnement en Circuit Électronique :
Mode Photoconducteur (Polarisée en inverse sous VR = 5 V à 15 V) :
Câblage : Cathode connectée au potentiel positif (+), Anode reliée à l'entrée inverseuse d'un amplificateur opérationnel à faible bruit (AOP FET type LF356, TL071, OPA134).
Avantages : Capacité de jonction abaissée à 11 pF, temps de réponse ultra-rapide (50 ns), linéarité parfaite du photocourant sur plusieurs ordres de grandeur de flux lumineux. Idéal pour liaisons de données, barrières modulées et télémètres.
Mode Photovoltaïque (Sans polarisation externe / VR = 0 V) :
Câblage : Diode branchée directement en générateur de courant sur l'entrée de mesure.
Avantages : Courant d'obscurité strictement nul, dérive thermique minimale. Idéal pour posemètres IR, dosimètres optiques et radiométrie de précision.
Domaines d'Application Clés :
Barrières Photoélectriques Industrielles : Réception de faisceaux infrarouges modulés (38 kHz à 100 kHz) pour détection de passage et sécurisation de machines.
Télémétrie & Systèmes Laser Proche Infrarouge (850 nm - 905 nm) : Détection d'impulsions de retour ultra-courtes.
Transmissions Audio / Données sans Fil par Infrarouge.
Précautions de Montage :
Nettoyer la fenêtre optique en verre exclusivement avec un chiffon microfibre non pelucheux ou un coton-tige imbibé d'alcool isopropylique (ne jamais utiliser de solvants agressifs type acétone).
Lors du soudage, limiter la chauffe sur les broches à moins de 3 secondes pour ne pas fragiliser les scellements verre-métal de l'embase TO-5.
