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  4. Transistor Bipolaire NPN Toshiba BUY71 – Boîtier Métallique de Puissance TO-3 (350 V Vceo / 450 V Vcb – 10 A – 100 W – Commutation & Alimentations)
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Transistor Bipolaire NPN Toshiba BUY71 – Boîtier Métallique de Puissance TO-3 (350 V Vceo / 450 V Vcb – 10 A – 100 W – Commutation & Alimentations)

Transistor Bipolaire NPN Toshiba BUY71 – Boîtier Métallique de Puissance TO-3 (350 V Vceo / 450 V Vcb – 10 A – 100 W – Commutation & Alimentations)

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Transistor au silicium de type NPN de forte puissance et haute tension (Silicon NPN Power Switching Transistor), issu des fabrications historiques de Toshiba, référence classique BUY71 au format boîtier métallique blindé robuste TO-3 (TO-204AA). Conçu spécifiquement pour les alimentations à découpage (SMPS), les onduleurs, les convertisseurs DC-DC et les étages de commutation de puissance industrielle exigeant une grande robustesse dynamique. Livré à l'état neuf de stock d'origine (NOS / Stock fabricant).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor bipolaire NPN silicium de puissance et commutation (Power & Switching NPN BJT)
Technologie de Semi-conducteurSilicium (Si) – structure mesa épitaxiale rapide pour charges inductives
Fabricant d'OrigineToshiba
Référence ConstructeurBUY71 (Standard Pro-Electron / JEDEC TO-3)
Format du BoîtierBoîtier métallique blindé à visser TO-3 (TO-204AA) à 2 broches (le collecteur étant relié au corps métallique)
Tension Collecteur-Émetteur Max (Vceo)350 V (tension de service élevée adaptée aux circuits de puissance et alimentations redressées)
Tension Collecteur-Base Max (Vcbo)450 V (forte tenue en tension pour encaisser les surtensions transitoires de coupure)
Tension Émetteur-Base Max (Vebo)5 V
Courant de Collecteur Continu Max (Ic)10 A (avec courant de crête admissible supérieur en régime dynamique)
Puissance Dissipable Maximale (Pd / Ptot)100 W (à Tc = 25°C avec un radiateur thermique adapté)
Plage de Température de Jonction (Tj)-65°C à +200°C
État du Matériel100 % neuf de stock ancien (NOS - New Old Stock), boîtier métallique brillant et broches d'une propreté immaculée sans oxydation
Usage & ApplicationsAlimentations à découpage (SMPS), onduleurs, convertisseurs de puissance, régulateurs linéaires et maintenance d'équipements électroniques professionnels vintage

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Excellence Industrielle Toshiba : Composant de fabrication japonaise haut de gamme réputé pour sa fiabilité thermique et sa robustesse face au claquage secondaire en régime de commutation inductive.

  • Dissipation Thermique Massive (100 W) : La semelle métallique robuste au format TO-3 assure un transfert thermique optimal vers le dissipateur du châssis.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé Boîtier Métallique TO-3 (Composant vu du dessous, broches pointant vers le bas, corps métallique orienté vers le haut) :

    • Broche de gauche : Base (B)

    • Broche de droite : Émetteur (E)

    • Corps / Semelle Métallique : Collecteur (C) (le boîtier tout entier constitue la connexion de collecteur)

    • Rappel d'atelier : Le corps métallique est directement relié au collecteur et se trouve sous tension lors du fonctionnement. Utilisez impérativement un kit d'isolation complet (semelle en mica ou en silicone au format TO-3 et canons isolants pour les vis de fixation) si le radiateur du châssis est relié à la masse. N'oubliez pas d'appliquer une fine couche de pâte thermique.

  2. Contrôle Électronique au Multimètre (Mode Diode) :

    • Transistor de polarité NPN : placer la touche rouge (+) sur la Base et la touche noire (-) successivement sur l'Émetteur et sur le Collecteur (corps métallique). L'appareil doit indiquer une chute de tension directe normale comprise entre 0,50 V et 0,75 V. En inversant les touches, le blocage doit être absolu (OL).

Composants Électroniques Actifs / Transistor NPN Toshiba BUY71 boîtier TO-3 neuf.

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