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Transistor Darlington Silicium NPN Haute Tension Thomson / STMicroelectronics BUX37 – Boîtier Métallique TO-3 (400 V – 15 A – Monolithique Darlington)

Transistor Darlington Silicium NPN Haute Tension Thomson / STMicroelectronics BUX37 – Boîtier Métallique TO-3 (400 V – 15 A – Monolithique Darlington)

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Transistor bipolaire de puissance monolithique Darlington au silicium haute tension (High-Voltage NPN Darlington Power Transistor) d'origine constructeur historique Thomson-CSF / SGS-Thomson (devenu STMicroelectronics), référence industrielle BUX37. Conçu spécifiquement pour les applications de commutation rapide à haute tension, les convertisseurs statiques, les alimentations à découpage (SMPS), les onduleurs industriels, les circuits de commande de moteurs et les amplificateurs de contrôle de puissance. Il intègre une structure Darlington offrant un gain en courant très élevé sous de fortes charges. Encapsulé sous boîtier métallique hermétique standard TO-3 (TO-204AA / boîtier diamant à deux trous de fixation). Matériel à l'état neuf de stock d'origine (NOS).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor de puissance monolithique Darlington NPN haute tension (High-Voltage NPN Darlington)
Marque / FabricantThomson-CSF / SGS-Thomson / STMicroelectronics (STM)
Référence ConstructeurBUX37
Format du BoîtierBoîtier métallique hermétique TO-3 / TO-204AA (format diamant à deux trous)
Tension Collecteur-Émetteur de Maintien (VCEO)400 V (sous IB = 0)
Tension Collecteur-Base Max (VCBO)500 V
Tension Émetteur-Base Max (VEBO)15 V
Courant de Collecteur Continu Max (IC)15 A (15 000 mA continu)
Courant de Collecteur Crête Max (ICM)20 A (impulsionnel)
Courant de Base Continu Max (IB)4 A
Gain en Courant Continu (hFE)Min. 20 (sous IC = 15 A, VCE = 5 V) / Typ. 100 (sous IC = 7 A)
Tension de Saturation Collecteur-Émetteur (VCE(sat))Max 2,0 V (sous IC = 10 A, IB = 0,15 A)
Plage de Température de Jonction (Tj)-65°C à +175°C
État du Matériel100 % neuf de stock ancien (NOS - New Old Stock), broches et embase nickelées sans oxydation
Usage & ApplicationsOnduleurs industriels, convertisseurs de puissance, régulateurs à découpage, alimentations à fort rendement, commandes de moteurs

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Architecture Darlington Monolithique Haute Tension : Permet d'atteindre un gain en courant considérable (hFE élevé) tout en commutant des tensions de l'ordre de 400 V à 500 V, réduisant la complexité des étages de commande préalables (drivers).

  • Robustesse du Boîtier TO-3 : Assure une évacuation thermique optimale pour supporter des régimes de commutation intensifs sous de fortes charges inductives, avec une résistance thermique jonction-boîtier minimale.

  • Fabrication Européenne d'Époque : Silicium planar robuste d'origine Thomson / SGS-Thomson, garantissant la fiabilité à long terme pour la maintenance corrective et la restauration d'équipements industriels et de puissance lourde.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé TO-3 (Composant vu de dessous, broches orientées vers soi) :

    • Le boîtier TO-3 dispose de deux broches de commande tandis que le Collecteur est relié électriquement au corps métallique de la capsule :

      • Broche de gauche : Base (B)

      • Broche de droite : Émetteur (E)

      • Corps métallique / Collerette : Collecteur (C)

  2. Montage sur Dissipateur :

    • La semelle métallique étant connectée au Collecteur (potentiel élevé), intercaler impérativement une feuille isolante (mica ou sil-pad au format TO-3) ainsi que des canons isolants pour les vis de fixation si le radiateur est relié à la masse ou au châssis.

    • Utiliser des capots de protection isolants (type Jermyn A22-4014) sur le dessus du boîtier pour éliminer tout risque de court-circuit accidentel d'atelier lors des interventions sous tension.

  3. Contrôle Électronique au Multimètre (Mode Diode) :

    • S'agissant d'un transistor Darlington NPN (comprenant deux transistors et des diodes de polarisation internes), la mesure au mode diode présentera des seuils de conduction cumulés (généralement compris entre 1,2 V et 1,5 V entre la Base et l'Émetteur/Collecteur), distincts d'un transistor bipolaire simple jonction.

Composants Électroniques Actifs & Puissance Industrielle / Transistor Darlington NPN haute tension Thomson / STMicroelectronics BUX37 en boîtier TO-3 (400 V / 15 A), pièce d'origine neuve de stock (NOS).

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