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Lot de 2 Diodes Ultra-Fast Double ON SEMICONDUCTOR BYV32-200G (200 V / 20 A / 25 ns – Boîtier TO-220AB – Cathode Commune)

Lot de 2 Diodes Ultra-Fast Double ON SEMICONDUCTOR BYV32-200G (200 V / 20 A / 25 ns – Boîtier TO-220AB – Cathode Commune)

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Lot de 2 diodes de redressement de puissance double à commutation ultra-rapide (Dual Ultra-Fast Power Rectifier) de référence BYV32-200G (BYV32-200 / suffixe G sans plomb / RoHS) fabriquées par ON SEMICONDUCTOR (ON Semi / Motorola), conçu pour les techniciens de maintenance électronique, concepteurs d'alimentations à découpage (SMPS), spécialistes des convertisseurs continu-continu (DC-DC), réparateurs d'amplificateurs et passionnés d'électronique de puissance.

La diode ON Semi BYV32-200G intègre deux diodes ultra-rapides montées en cathode commune (Center-Tap) au sein d'un boîtier traversant robuste TO-220AB (TO-220-3). Elle offre une tension inverse répétitive de crête (VRRM) de 200 V, un courant direct moyen nominal total (IF(AV)) de 20 A (soit 10 A par diode individuelle à température de boîtier TC = 115°C), et un temps de recouvrement inverse (trr) ultra-court garanti inférieur ou égal à 25 ns à 35 ns. Grâce à sa structure planaire passivée sous verre à faible énergie stockée et son comportement de recouvrement doux (Soft Recovery), elle minimise les pertes par commutation et les oscillations parasites haute fréquence, ce qui en fait un composant de choix pour le redressement secondaire sur les rails de sortie 12 V, 24 V ou 48 V.

Composants Électroniques de Puissance & Semi-conducteurs / Fabricant : ON SEMICONDUCTOR (ON Semi / Motorola) / Référence Fabricant : BYV32-200G (Série BYV32) / Type de Composant : Diode double de redressement ultra-rapide à cathode commune (Dual Ultrafast Power Rectifier) / Tension Inverse Répétitive Max (VRRM) : 200 V / Tension Continue de Blocage Max (VR) : 200 V / Courant Direct Moyen Total (IF(AV)) : 20 A (10 A par branche) / Courant de Surcharge Crête (IFSM) : 100 A par diode (onde demi-sinus 8,3 ms) / Temps de Recouvrement Inverse (trr) : 25 ns typique / 35 ns max (sous conditions standard) / Chute de Tension Directe (VF) : Typiquement 0,85 V à 1,05 V sous 10 A (selon température de jonction) / Boîtier Mécanique : TO-220AB (Traversant 3 broches, boîtier plastique époxy UL 94V-0) / Configuration Interne : Cathode commune (Broche 1 = Anode 1, Broche 2 & Semelle = Cathode commune, Broche 3 = Anode 2) / Conditionnement : Lot de 2 pièces / État : Neuf de stock d'origine (NOS / New Old Stock), broches étamées propres et droites, jamais monté. Composant haute performance pour la maintenance, la rénovation et l'optimisation d'alimentations de précision.

Caractéristiques Essentielles

  • Qualité & Fiabilité ON Semiconductor (Motorola) :

    • Jonction passivée sous verre haute température (TJ max = 150°C) assurant une très grande stabilité thermique et un courant de fuite réduit.

  • Temps de Recouvrement Ultra-Court (trr jusqu'à 25 ns) :

    • Réduit considérablement les pertes de commutation dans les étages haute fréquence travaillant au-delà de 100 kHz.

  • Architecture Double Diode à Cathode Commune (Center-Tap) :

    • Idéale pour les montages de redressement double alternance sur transformateur à point milieu ou pour un raccordement en parallèle doublant la capacité en courant.

  • Comportement Soft Recovery :

    • Limite les pics de surtension transitoires et atténue les émissions de parasites radioélectriques (CEM).

  • Boîtier TO-220AB à Faible Résistance Thermique :

    • Résistance thermique jonction-boîtier très faible (RthJC typiquement de 1,5 °C/W par diode), facilitant le refroidissement sur dissipateur thermique.

  • État : Composants neufs, broches étamées d'origine prêtes pour l'insertion PCB.

CaractéristiqueSpécifications
Marque / FabricantON Semiconductor (ON Semi / ex-Motorola)
Référence ComposantBYV32-200G (BYV32-200)
QuantitéLot de 2 pièces
Famille TechnologiqueUltra-Fast Power Rectifier (Double diode)
Tension Inverse Répétitive (VRRM)200 V
Courant Direct Moyen (IF(AV))20 A au total (10 A par diode individuelle)
Courant de Surcharge Crête (IFSM)100 A par diode
Temps de Recouvrement (trr)25 ns typique / 35 ns max
Configuration InterneCathode commune (Center-Tap)
Boîtier MécaniqueTO-220AB (Traversant 3 broches)
Température Max de Jonction (TJ)150 °C
État des ComposantsNeuf d'origine (Broches étamées propres, jamais montées)
Usage PrincipalRedressement secondaire SMPS, convertisseurs DC-DC, diodes de roue libre, étages audio

Mémo Technique d'Atelier & Points Clés

  • Brochage & Configuration du Boîtier TO-220AB :

    • Broche 1 (gauche vue de face avec marquage) : Anode 1.

    • Broche 2 (centrale) & Semelle métallique arrière : Cathode commune (sortie du pôle positif continu).

    • Broche 3 (droite vue de face avec marquage) : Anode 2.

    • Attention d'atelier : La semelle métallique arrière étant directement reliée au potentiel de la Cathode (broche 2), utiliser un kit d'isolation complet (feuille mica/Sil-Pad + canon isolant pour la vis) si le dissipateur thermique est relié au châssis ou à la masse.

  • Applications & Conseils de Remplacement :

    • Alimentations à Découpage & Convertisseurs : Composant idéal pour remplacer des diodes plus lentes (ex. séries BYW29 ou diodes standard) sur les sorties 12 V, 24 V et 48 V afin d'éliminer l'échauffement anormal dû aux pertes de commutation.

    • Montage Thermique : Appliquer une fine couche uniforme de pâte thermique conductrice et serrer au couple standard pour boîtier TO-220 (0,6 à 0,8 N.m) pour garantir un échange thermique optimal vers le dissipateur.

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