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UPD4364C-15L (NEC) - Mémoire RAM Statique CMOS 64K (8K x 8 bits, 150ns)

UPD4364C-15L (NEC) - Mémoire RAM Statique CMOS 64K (8K x 8 bits, 150ns)

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Le µPD4364C-15L (souvent écrit ci µPD4364C -15L, ic D4364C-15L) est un circuit intégré de mémoire vive statique (SRAM), fabriqué historiquement par NEC Corporation.

Ce composant offre une capacité de stockage de 64 kilobits, organisée en 8192 mots de 8 bits (8K x 8 bits). Grâce à sa technologie CMOS, il consomme très peu d'énergie en veille et dispose d'une option de sauvegarde par batterie (suffixe L pour Low Power / Back-up). Le suffixe -15 indique un temps d'accès de 150 nanosecondes, et le boîtier de type C correspond traditionnellement à un format plastique double en ligne (DIP-28). Il est largement utilisé dans les systèmes informatiques anciens, les cartes de contrôle industrielles et les équipements électroniques à microprocesseur des années 1980 et 1990.

Caractéristiques Essentielles

  • Fabricant : NEC (Nippon Electric Company).

  • Fonction : Mémoire vive statique CMOS 64K (8K x 8-Bit Static CMOS RAM).

  • Boîtier : DIP-28 (Plastic Dual In-line Package à 28 broches traversantes).

  • Signification de la référence :

    • µPD4364 : Référence de base de la SRAM 64K de NEC (organisation 8K x 8).

    • -15 : Vitesse / Temps d'accès de 150 nanosecondes.

    • L : Version à faible consommation (Low Power / Data Retention), idéale pour une alimentation de secours par pile ou accumulateur.

  • Performances clés :

    • Organisation 8K x 8 : Parfaitement adaptée pour s'interfacer directement avec les bus de données 8 bits des microprocesseurs classiques (Z80, 6800, 6502, etc.).

    • Fonctionnement statique : Ne nécessite aucun cycle de rafraîchissement dynamique (contrairement à la mémoire DRAM), simplifiant grandement la logique de contrôle externe.

    • Mode de rétention de données : Permet de conserver les données en mémoire à très basse tension d'alimentation lors de coupures secteur.

CaractéristiqueSpécifications
FabricantNEC
Type de FonctionSRAM CMOS 64K (8K x 8 bits)
Type de BoîtierDIP-28 (28 broches traversantes)

Mémo Technique d'Atelier

  • Repérage & Broches Clés (Boîtier DIP-28) :

    • Repérage : L'encoche en demi-cercle ou le point gravé sur l'extrémité du boîtier indique la position de la broche 1 (située en haut à gauche lorsque l'encoche est orientée vers le haut).

    • Environnement : Ce circuit est implanté sur la carte mère d'ordinateurs vintage, de synthétiseurs ou de automates programmables, entouré de condensateurs de découplage d'alimentation et parfois d'une diode de découplage reliée à une pile de sauvegarde externe.

  • Diagnostic Express (Perte de mémoire ou blocage système) :

    • Symptômes Courants en Atelier :

      1. Données corrompues au démarrage, perte de configuration ou plantage aléatoire de la machine : Puce SRAM défectueuse, ou pile/accumulateur de sauvegarde déchargé/coulé ayant endommagé les pistes environnantes.

      2. Absence totale de lecture/écriture : Circuit intégré traversé par un court-circuit interne suite à une surtension sur le rail d'alimentation (+5V).

    • Mesures sous tension (au multimètre / oscilloscope) :

      1. Contrôle de l'alimentation : Vérifier la présence et la stabilité de la tension d'alimentation de +5V sur la broche VCC par rapport à la masse (GND) du boîtier DIP-28.

      2. Contrôle des signaux de contrôle : Observer l'activité sur les broches de sélection de boîtier (CS - Chip Select), de commande de lecture (OE - Output Enable) et d'écriture (WE - Write Enable) lors des accès par le processeur.

  • Recommandations de Montage :

    • Support adapté : L'utilisation d'un support tulipe à 28 broches est vivement conseillée pour le remplacement de ce circuit sur les cartes anciennes afin d'éviter d'exposer les pistes fragiles du circuit imprimé à la surchauffe du fer à souder.

    • Précautions ESD : Manipuler le composant en respectant les règles fondamentales de protection contre les décharges électrostatiques.

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