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Mémoire RAM Statique CMOS 256 x 1-Bit HEF4720BP

Mémoire RAM Statique CMOS 256 x 1-Bit HEF4720BP

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Le HEF4720BP (ou HEF 4720 BP) est un circuit intégré de mémoire vive statique (SRAM) historique de petite capacité, développé à l'origine par Philips Semiconductor (aujourd'hui NXP). Logé dans un boîtier DIP16 standard à 16 broches traversantes, ce composant propose une architecture de 256 bits, organisée en 1 bit par mot (256 x 1-bit).

Conçu à l'aide du procédé exclusif LOCMOS (Local Oxidation CMOS) de Philips, il combine une consommation électrique en veille extrêmement faible (courant de standby infime) avec une compatibilité totale avec les niveaux logiques TTL bipolaires standards, sans nécessiter d'interface de couplage. C'est une puce de niche très spécifique, recherchée pour la restauration et le dépannage de cartes logiques industrielles, d'instruments de mesure de laboratoire ou d'équipements de télécommunication des années 80 et 90.

CaractéristiqueSpécifications
Fabricant d'OriginePhilips Semiconductors (NXP)
Équivalents ProchesHEF4720BD (Version Céramique), HEF4720BT (Version CMS SO16)
TechnologieLOCMOS (Totalement statique et entièrement décodée)
Configuration256 mots de 1 bit
BoîtierDIP16 / DIL16 (Plastique standard à 16 broches)
Plage d'AlimentationLarge : +3,0V à +15,0V (Tension nominale standard de +5,0V)
Type de Sortie3 états (Tri-State) permettant la mise en parallèle sur un bus
ÉtatNew Old Stock (NOS) d'époque / Réf. spécifique rare

Note technique :

  • Double Sortie Complémentaire : Contrairement à la plupart des mémoires RAM classiques, le HEF4720BP possède une double structure de sortie simultanée : la broche de sortie O délivre le bit de donnée lu avec la même polarité que l'entrée de donnée D, tandis que la broche O barre présente simultanément son complément logique inversé.

  • Contrôle d'Écriture et Sélection (Chip Select) :

    • W (Write Control) : Doit être poussé au niveau HAUT pour autoriser l'écriture d'une information binaire dans la cellule mémoire ciblée.

    • CS (Chip Select) : Lorsque la ligne de sélection passe au niveau HAUT, les sorties passent instantanément en état de haute impédance (flottantes) et le cycle d'écriture est verrouillé. Cela facilite l'extension de la mémoire en reliant les sorties de plusieurs puces en logique câblée (Wire-ORed).

Conseils Pro :

  • Le piège de la tension de maintien en veille (Standby Voltage) : La force de la technologie LOCMOS de Philips est sa capacité à conserver les informations mémorisées sous une tension de sauvegarde résiduelle extrêmement basse, pouvant descendre jusqu'à 3,0V. Si vous constatez des pertes erratiques de données ou une corruption du registre lors du basculement de votre machine d'époque sur sa batterie de secours, contrôlez à l'oscilloscope qu'aucun parasite de commutation ne fait chuter le rail d'alimentation sous le seuil critique des 3,0V au moment de la coupure du secteur.

  • Adressage des 256 emplacements : La puce utilise 8 lignes d'adressage pour pointer vers l'un des 256 bits disponibles. En cas de comportement anormal (l'appareil écrit la bonne donnée mais au mauvais endroit), inspectez la propreté des signaux de transition logiques sur les lignes d'adresse hautes. Une broche de support DIP oxydée ou une micro-coupure de piste d'époque peut figer une ligne d'adresse à 0, forçant la puce à écraser continuellement les mêmes cellules mémoires.

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