Se rendre au contenu
  1. Tous les produits
  2. Composants
  3. Transistors
  4. Lot de 2 Transistors MOSFET de Puissance N-Channel STMicroelectronics IRFP150 – Boîtier TO-247 (100 V Vds / 40 A – Commutation & Conversion de Puissance)
  5. Transistors
Liste de prix: Prix distribution Liste de prix
Liste de prix: Prix distribution Liste de prix
New Old Stock
Lot de 2 Transistors MOSFET de Puissance N-Channel STMicroelectronics IRFP150 – Boîtier TO-247 (100 V Vds / 40 A – Commutation & Conversion de Puissance)

Lot de 2 Transistors MOSFET de Puissance N-Channel STMicroelectronics IRFP150 – Boîtier TO-247 (100 V Vds / 40 A – Commutation & Conversion de Puissance)

(0 avis)
5,83 € 5,83 € (Toutes taxes comprises)

Ajouter au panier

Lot de 2 transistors à effet de champ à grille isolée de type N (N-Channel Power MOSFET), issus des fabrications historiques de STMicroelectronics, référence classique IRFP150 logée dans son grand boîtier plastique à semelle métallique TO-247 (standard TO-3P). Conçu spécifiquement pour les alimentations à découpage (SMPS), les onduleurs, les convertisseurs DC-DC, les variateurs de vitesse et les amplificateurs audio de forte puissance exigeant une tension de service de 100V sous un courant de 40A. Livrés à l'état neuf de stock d'origine (NOS / Stock fabricant).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor MOSFET de puissance canal N (N-Channel Power MOSFET)
Technologie de Semi-conducteurSilicium (Si) – structure planaire DMOS haute puissance
Fabricant d'OrigineSTMicroelectronics (ST)
Référence ConstructeurIRFP150 (Format standard JEDEC TO-247)
Format du BoîtierBoîtier plastique TO-247 à 3 broches avec semelle arrière métallique percée
Tension Drain-Source Max (Vds)100 V (tension de service élevée adaptée aux bus continus et alimentations de puissance)
Tension Grille-Source Max (Vgs)plus ou moins 20 V (marge de protection de l'oxyde de grille)
Courant de Drain Continu (Id)40 A (à Tc = 25°C – calibre de courant très robuste pour charges lourdes)
Résistance Drain-Source à l'État Passant (Rds(on))0,055 Ohm (faible résistance interne réduisant les pertes par conduction)
Puissance Dissipable Maximale (Pd)150 W (à Tc = 25°C avec un dissipateur thermique adapté)
Plage de Température de Jonction (Tj)-55°C à +175°C
Quantité du LotLot de 2 composants neufs de stock d'atelier (NOS)
Usage & ApplicationsAlimentations à découpage (SMPS), onduleurs de tension, variateurs industriels, étages de sortie audio high-end et maintenance de matériel professionnel vintage

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Capacité en Courant Élevée (40 A) : Permet de commuter ou de réguler des intensités substantielles avec une excellente efficacité énergétique.

  • Faible Rds(on) : Limite l'échauffement Joule interne lors du passage à l'état passant, garantissant une meilleure fiabilité thermique.

  • Boîtier TO-247 Généreux : Offre une surface de contact thermique idéale pour le montage sur de grands radiateurs en aluminium en association avec un isolant adapté.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé Boîtier TO-247 (Composant vu de face, face avant portant le marquage orientée vers vous, broches pointant vers le bas) :

    • Broche de gauche : Grille (Gate - G)

    • Broche centrale : Drain (D) (également relié électriquement à la semelle métallique arrière)

    • Broche de droite : Source (S)

    • Rappel d'atelier : La semelle métallique arrière est directement reliée au Drain et se trouve sous tension élevée en fonctionnement. Prévoyez impérativement un kit d'isolation thermique (feuillet en mica ou en silicone) et un canon isolant pour la vis de fixation M3 si votre radiateur de châssis est relié à la masse. N'oubliez pas d'appliquer une fine couche de pâte thermique.

  2. Précautions ESD & Manipulation :

    • Les transistors MOSFET possèdent une impédance de grille extrêmement élevée qui les rend sensibles aux décharges électrostatiques (ESD). Manipulez-les sur un plan de travail relié à la terre et utilisez un fer à souder mis à la masse.

Composants Électroniques Actifs / Lot de 2 transistors MOSFET N STMicroelectronics IRFP150 boîtier TO-247 neuf.