Le KM62256CLP-7 est une variante directe de la puce mémoire Samsung (SEC) précédente. Elle partage exactement la même architecture interne, à savoir une mémoire RAM statique (SRAM) de 256 Kbits organisée en 32 768 mots de 8 bits (32 Ko), logée dans un boîtier DIP28 large (600 mils, traversant).
La différence majeure réside dans le suffixe de vitesse :
-7 : Indique une sélection pour un temps d'accès de 70 ns (contre 50 ns pour la version -5L). Bien que légèrement plus lente que la version -5, elle reste très performante et s'intègre parfaitement dans la majorité des systèmes informatiques rétro et industriels des années 80 et 90 (comme les architectures Amiga, Atari, cartes d'arcade ou synthétiseurs d'époque) sans imposer de cycles d'attente contraignants au processeur.
Fabricant : Samsung Electronics (SEC)
Technologie : RAM Statique (SRAM) — technologie CMOS, aucun rafraîchissement requis.
Capacité : 256 Kbits (32 Ko x 8 bits).
Vitesse (Index -7) : Temps d'accès standard de 70 ns.
Format : Boîtier plastique DIP28 standard (600 mils, traversant).
Diagnostic Express (Vérification de compatibilité ou corruption de bus) :
Interchangeabilité d'établi : Un composant de 70 ns peut remplacer sans problème une SRAM plus lente (comme les modèles à 100 ns ou 120 ns de type NEC uPD43256). En revanche, si vous l'utilisez pour dépanner une carte conçue à l'origine pour tourner à pleine vitesse avec la version 50 ns (KM62256CLP-5L) sur un bus très rapide, la puce risque de ne pas répondre à temps, provoquant des plantages système ou des instabilités chroniques.
Comportement logique : Si le système refuse de démarrer avec cette puce, inspectez la propreté des lignes de commande (Write Enable /WE, Chip Select /CS, Output Enable /OE) à l'oscilloscope pour éliminer tout problème de décodage d'adresse en amont.
Recommandations de Montage :
Support DIP28 Large : L'usage d'un support tulipe de 28 broches (entraxe large de 0,6 pouce) est vivement recommandé. Cela sécurise le composant face au stress thermique du soudage direct et vous permet de le déplacer ou de le tester facilement sur un programmateur universel.
Découplage local : Comme pour toute mémoire synchrone/asynchrone gérant un bus de données complet de 8 bits, installez un condensateur céramique de 100 nF au plus près de la broche d'alimentation 28 (VCC) et de la broche 14 (GND) pour lisser les micro-appels de courant lors des cycles de lecture/écriture.
Nettoyage après brasage : Un nettoyage méticuleux à l'alcool isopropylique pur est obligatoire pour éliminer les résidus de flux. Même à 70 ns, des fuites capacitives ou résistives entre les broches d'adresses denses (A0 à A14) peuvent générer des bits fantômes ou de fausses lectures d'adresses.
