Diode Électroluminescente (DEL) infrarouge de type LN58, utilisant la technologie GaAs pour une émission stable à 950nm. Composant opto-électronique robuste, idéal pour les projets de robotique, les systèmes de communication infrarouge longue portée ou la maintenance d'appareils de mesure anciens.
Note technique : Composant émetteur standard de haute fiabilité. Idéalement couplé avec un phototransistor adapté pour former une barrière de détection ou une liaison optique. Vérifier les limites de courant direct ($I_f$) dans la datasheet pour éviter toute dégradation thermique du semi-conducteur.
