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Transistor Bipolaire PNP Silicium STMicroelectronics MJ2955 – Boîtier Métallique Puissance TO-3 (60 V – 15 A – 115 W)

Transistor Bipolaire PNP Silicium STMicroelectronics MJ2955 – Boîtier Métallique Puissance TO-3 (60 V – 15 A – 115 W)

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Transistor bipolaire PNP au silicium de forte puissance (Silicon PNP Power Transistor), issu des fabrications de STMicroelectronics, référence industrielle historique MJ2955. Conçu spécifiquement pour les étages de sortie d'amplificateurs audio haute fidélité, les alimentations linéaires régulées de forte puissance et les applications de commutation lourde, formant le couple complémentaire mythique et symétrique du célèbre NPN 2N3055. Encapsulé sous le robuste boîtier métallique hermétique de puissance TO-3 (boîtier à semelle de fixation à deux trous, le corps métallique massif servant de connexion de collecteur). Matériel à l'état neuf de stock d'origine (NOS).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor bipolaire PNP silicium de forte puissance (PNP Power BJT)
Technologie de Semi-conducteurSilicium (Si) – structure de puissance à émetteur étagé ou planaire épitaxiale
Fabricant d'OrigineSTMicroelectronics
Référence ConstructeurMJ2955 (Standard JEDEC)
Format du BoîtierBoîtier métallique hermétique de puissance TO-3 (collerette à 2 trous de fixation)
Tension Collecteur-Émetteur Max (Uce0 / Vceo)-60 V
Tension Collecteur-Base Max (Vcbo)-100 V
Courant de Collecteur Continu Max (Ic)-15 A
Puissance Dissipable Maximale (Pd / Ptot)115 W (à Tc = 25°C avec radiateur thermique adapté)
Gain en Courant Continu (hFE)Linéaire et stable (typiquement 20 à 70 pour Ic = -4 A)
Plage de Température de Jonction (Tj)-65°C à +200°C
État du Matériel100 % neuf de stock ancien (NOS - New Old Stock), boîtiers métalliques brillants et broches d'une propreté immaculée sans oxydation
Usage & ApplicationsAmplificateurs audio vintage haute puissance, alimentations stabilisées de laboratoire, étages de sortie push-pull complémentaires et maintenance d'équipements électroniques professionnels

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Complémentarité Historique (Paire avec le 2N3055) : L'associé PNP direct du légendaire 2N3055, indispensable pour concevoir ou réparer des étages de sortie push-pull symétriques d'une grande robustesse.

  • Le Collecteur au Boîtier : Le corps métallique du TO-3 et sa semelle de fixation sont reliés électriquement au Collecteur (C). Prévoyez impérativement un kit d'isolation thermique (feuille de mica ou silpad et canons isolants) si votre dissipateur en aluminium est relié à la masse ou à un autre potentiel du montage.

  • Robustesse Thermique (115 W) : Capable d'encaisser des contraintes thermiques et électriques sévères en régime permanent sous réserve d'un montage soigné sur un radiateur largement dimensionné.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé TO-3 (Composant vu de dessous, broches orientées vers soi, repère asymétrique) :

    • Broche de gauche : Base (B)

    • Broche de droite : Émetteur (E)

    • Corps métallique / Semelle : Collecteur (C)

  2. Contrôle Électronique au Multimètre (Mode Diode) :

    • Transistor de polarité PNP : placer la touche noire (-) sur la Base et la touche rouge (+) successivement sur l'Émetteur puis sur le Boîtier métallique (Collecteur). L'appareil doit indiquer une chute de tension directe normale comprise entre 0,45 V et 0,60 V. En inversant les touches (touche rouge sur la Base), le blocage doit être absolu (OL).

  3. Pâte Thermique : Appliquez systématiquement une fine pellicule de pâte thermique conductrice lors de l'installation sur le radiateur pour garantir un transfert calorifique optimal et éviter la surchauffe de la puce silicium interne.