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Mémoire Flash CMOS Intel P28F010-200

Mémoire Flash CMOS Intel P28F010-200

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9,17 € 9,17 € (Toutes taxes comprises)

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Le P28F010-200 (conçu et fabriqué par le géant américain Intel) est un circuit intégré monolithique d'époque fonctionnant comme une mémoire Flash CMOS non volatile de 1 Mégabit (1 Mb). Proposé en composant d'origine authentique et neuf de stock d'époque (NOS), il se présente sous la forme d'un boîtier plastique double en ligne à 32 broches (DIP32, pas standard de 600 mil).

Dans la nomenclature Intel :

  • Le préfixe "P" désigne spécifiquement le boîtier plastique (Plastic DIP).

  • La référence "28F010" indique une mémoire Flash de 1 Megabit organisée en 8 bits.

  • Le suffixe "-200" spécifie un temps d'accès de 200 nanosecondes (200 ns).

Cette puce historique est une mémoire effaçable et programmable électriquement par secteur (Bulk Erase). Elle est très largement utilisée dans les années 90 pour stocker les BIOS de cartes mères d'ordinateurs (générations 386, 486 et premiers Pentium), les firmwares d'équipements de réseau, les cartes d'extension industrielles ou les systèmes embarqués vintage.

Caractéristiques Essentielles

  • Capacité de 1 Mégabit : Organisée en 131 072 mots de 8 bits (128 Ko), idéale pour le stockage de programmes d'amorçage complexes (BIOS).

  • Technologie Flash CMOS : Offre une très faible consommation électrique en veille et en lecture par rapport aux anciennes technologies bipolaires, tout en garantissant une excellente rétention des données (estimée à plus de 10 ans).

  • Effaçable Électriquement : Contrairement aux anciennes UV-EPROM (série 27C) qui nécessitaient une exposition sous une lampe à ultraviolets à travers une fenêtre en quartz, la Flash 28F010 s'efface et se réécrit directement de manière électrique à l'aide d'un programmateur.

CaractéristiqueSpécifications
FabricantIntel Corporation — USA (Composant d'origine)
BoîtierDIP32 Plastique (Traversant large, 600 mil, suffixe P)
Type de MémoireMémoire Flash non volatile
Organisation128 Ko x 8 bits (131 072 octets)
Temps d'accès200 ns (Suffixe -200)
Tension de Lecture+5 V
Tension d'Écriture (Vpp)+12 V (Nécessaire pour l'effacement et la programmation)
ÉtatAuthentique, neuf de stock d'époque (NOS)

Mémo Technique d'Atelier

  • Le Point Critique d'Écriture (Vpp à 12 V) :

    • La lecture des données se fait sous une tension standard de +5 V (Vcc).

    • En revanche, l'écriture, la programmation et l'effacement complet de la puce requièrent l'application d'une tension spécifique de +12 V sur la broche dédiée Vpp (broche 1). Sans cette tension de programmation externe de 12 V, la puce est protégée en écriture et aucune modification du firmware n'est possible.

  • Diagnostic & Programmation à l'Établi :

    • Programmation externe : Ce circuit se programme très facilement à l'aide d'un programmateur d'atelier universel moderne (type TL866II Plus, T48 ou similaire) en sélectionnant directement la référence "Intel P28F010" ou son équivalent direct "Intel D28F010" (version céramique).

    • Vitesse d'accès (200 ns) : Veillez à respecter les exigences de vitesse de votre carte mère d'origine. Une puce à 200 ns peut remplacer des puces plus lentes (250 ns), mais ne doit pas être installée sur des bus systèmes rapides exigeant 120 ns ou 150 ns sous peine de provoquer des erreurs de transfert ou des plantages du processeur au boot.

  • Conseils d'Installation :

    • Les mémoires de BIOS ou de firmware d'époque étant soumises à des mises à jour fréquentes, l'utilisation d'un support de précision de type tulipe à 32 broches (DIP32, 600 mil) est indispensable sur vos circuits imprimés.

    • Soudez le support à l'aide d'un fer propre réglé entre 280°C et 300°C maximum pendant 2 secondes par broche, puis nettoyez méticuleusement les résidus de flux à l'alcool isopropylique pur pour éviter tout court-circuit ou fuite de signal sur les lignes d'adresses rapides.

Avis client :

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