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Transistor à effet de champ MOS de puissance radiofréquence en technologie montage en surface (RF Power MOSFET), issu des fabrications spécialisées de Mitsubishi Electric, référence professionnelle RD07MVS1B. Conçu spécifiquement pour les étages de sortie et les pilotes d'émetteurs-récepteurs portables ou mobiles, les amplificateurs de puissance large bande et les équipements de télécommunication professionnels fonctionnant dans les bandes VHF et UHF (optimisé pour 175 MHz et 520 MHz). Composant entièrement conforme aux directives environnementales RoHS. Encapsulé sous un boîtier CMS compact pour montage en surface. Matériel à l'état neuf de stock d'origine (NOS), vendu à l'unité.
Points Forts & Spécificités Techniques
Rendement et Puissance RF Élevés : Capable de délivrer une puissance de sortie RF de 7 watts sous des tensions d'alimentation adaptées (généralement 7,2 V ou 12,5 V), avec un gain de puissance remarquable.
Compatibilité Double Bande VHF/UHF : Spécifiquement caractérisé pour offrir d'excellentes performances tant dans la bande des 175 MHz que dans celle des 520 MHz.
Format CMS Compact : Permet une intégration moderne à haute densité sur les circuits imprimés double face tout en assurant un bon transfert thermique vers le plan de masse de la carte.
Conseils d'Atelier & Raccordement
Précautions Anti-Statiques (ESD) : Comme tous les transistors MOSFET à grille isolée, le RD07MVS1B est extrêmement sensible aux décharges électrostatiques. Utilisez impérativement un poste de travail relié à la terre, un bracelet antistatique et un fer à souder isolé lors de la manipulation et de la pose.
Gestion Thermique en Montage CMS : Veillez à concevoir un îlot de cuivre suffisamment large sous la semelle de drainage thermique du boîtier CMS, relié à de nombreux vias traversants (thermal vias), pour évacuer efficacement les calories dissipées en régime RF établi.
Composants Électroniques Actifs / Transistor MOSFET RF CMS Mitsubishi RD07MVS1B neuf (vendu à l'unité).
