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Lot de 2 Transistors MOSFET N-Channel STMicroelectronics STP6NK60ZFP – Boîtier Plastique Isolé TO-220FP (600 V – 6 A – 32 W – SuperMESH Zener-Protected)

Lot de 2 Transistors MOSFET N-Channel STMicroelectronics STP6NK60ZFP – Boîtier Plastique Isolé TO-220FP (600 V – 6 A – 32 W – SuperMESH Zener-Protected)

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Lot de deux transistors à effet de champ MOS à canal N de puissance haute tension (N-Channel Power MOSFET), issus des fabrications de STMicroelectronics, référence industrielle STP6NK60ZFP (intégrant une protection par diode Zener sur la grille et le boîtier entièrement isolé TO-220FP). Conçu spécifiquement pour les alimentations à découpage (SMPS), les convertisseurs DC-DC et les ballasts électroniques exigeant une haute immunité aux surtensions électrostatiques. Encapsulé sous le boîtier plastique isolé TO-220FP (Full Pack). Matériel à l'état neuf de stock d'origine (NOS).

CaractéristiqueSpécification
Type de MatérielTransistor MOSFET canal N de puissance haute tension (N-Channel Power MOSFET)
Technologie de Semi-conducteurSilicium (Si) – structure SuperMESH optimisée avec protection Zener intégrée
Fabricant d'OrigineSTMicroelectronics
Référence ConstructeurSTP6NK60ZFP (Marquage P6NK60ZFP)
Format du BoîtierBoîtier plastique entièrement isolé à 3 broches TO-220FP (Full Pack)
Tension Drain-Source Max (Udss / Vdss)600 V
Tension Grille-Source Max (Ugs / Vgss)Plus ou moins 30 V
Courant de Drain Continu Max (Id)6 A (à Tc = 25°C)
Courant de Drain Impulsionnel (Idm)24 A (pulsé)
Résistance Drain-Source à l'État Passant (Rds(on))Typiquement 1,0 Ohm (pour Vgs = 10 V)
Puissance Dissipable Maximale (Pd / Ptot)32 W (à Tc = 25°C avec radiateur thermique adapté)
Protection IntégréeDiode Zener grille-source (protection ESD et surtensions dynamiques)
Plage de Température de Jonction (Tj)-55°C à +150°C
ConditionnementLot de 2 pièces
État du Matériel100 % neuf de stock ancien (NOS - New Old Stock), boîtiers propres et broches d'une propreté immaculée sans oxydation
Usage & ApplicationsAlimentations à découpage (SMPS), convertisseurs primaires, ballasts électroniques et maintenance d'équipements industriels ou grand public

Points Forts & Spécificités Techniques

  • Tenue en Tension Élevée (600 V) : Adapté aux étages primaires connectés directement au réseau secteur redressé.

  • Protection Zener Intégrée : La diode Zener connectée entre grille et source protège efficacement le composant contre les surtensions électrostatiques (ESD) et les transitoires de commutation violents.

  • Boîtier Entièrement Isolé TO-220FP : La semelle plastique surmoulée garantit une isolation galvanique avec le dissipateur thermique en aluminium, simplifiant le montage sans isolant mica additionnel.

Conseils d'Atelier & Raccordement

  1. Brochage Normalisé TO-220FP (Composant vu de face, face plane marquée vers soi, broches orientées vers le bas) :

    • Broche 1 (gauche) : Grille (Gate - G)

    • Broche 2 (centre) : Drain (D)

    • Broche 3 (droite) : Source (S)

  2. Contrôle Électronique au Multimètre (Mode Diode) :

    • La présence de la diode de structure interne (Body Diode) entre la Source et le Drain permet de valider la jonction, tandis que la présence des diodes Zener de grille nécessite de privilégier un testeur de composants universel pour une lecture précise.

Composants Électroniques Actifs / Transistor MOSFET N-Channel STP6NK60ZFP boîtier TO-220FP neuf.