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New Old Stock
Mémoire RAM Statique CMOS 256K-Bit TC55417P-35

Mémoire RAM Statique CMOS 256K-Bit TC55417P-35

Le TC55417P-35 (ou TC55417P -35) est un circuit intégré de mémoire vive statique (SRAM) asynchrone hautes performances, développé par Toshiba. Logé dans un boîtier DIP24 standard (largeur de 300 mils / étroit), ce composant offre une capacité de 256 Kilobits, configurée en 16 384 mots de 16 bits ($16\text{K} \times 16$).

Grâce à sa structure CMOS avancée pour son époque, il combine un temps d'accès très rapide et une faible consommation d'énergie. Le suffixe -35 indique un temps d'accès de 35 ns (nanosecondes), et le P spécifie le boîtier plastique. C'est un composant New Old Stock (NOS) très prisé pour la réparation ou l'upgrade de cartes mères d'ordinateurs rétro (mémoire cache), de consoles de jeux, d'échantillonneurs musicaux (samplers) et d'automates de contrôle numérique industriels.

CaractéristiqueSpécifications
Fabricant d'OrigineToshiba
Équivalents ProchesCY7C106 (Cypress), IS61C1616 (ISSI), KM616256 (Samsung)
Capacité256 Kbits (16K mots de 16 bits de données)
BoîtierDIP24 / DIL24 (Plastique étroit, 300 mils / 0,3 pouce)
Temps d'Accès Max.Très rapide : 35 ns (compatible bus haute vitesse)
Organisation du Bus16-bits de données en parallèle
Alimentation Unique+5,0V (plus ou moins 10% / Technologie CMOS)
ÉtatNew Old Stock (NOS) d'époque / RAM rapide recherchée

Note technique :

  • Architecture 16-bits native (Gestion des Octets) : Contrairement aux RAM traditionnelles organisées en 8 bits, le TC55417P-35 possède un bus de données de 16 bits (I/O1 à I/O16). Pour offrir une flexibilité totale aux processeurs 16/32 bits, la puce intègre deux broches de sélection d'octets :

    • LB barre (Lower Byte / broche 21) : Active l'octet de poids faible (I/O1 à I/O8).

    • UB barre (Upper Byte / broche 22) : Active l'octet de poids fort (I/O9 à I/O16).

  • Broches de Contrôle Standards : Outre les broches d'adresses (A0 à A13), on retrouve CE barre (Chip Enable / broche 11) pour réveiller la puce, OE barre (Output Enable / broche 23) pour la lecture, et WE barre (Write Enable / broche 12) pour déclencher l'écriture.

Conseils Pro :

  • Le piège du mode veille (Broche CE barre flottante) : La technologie CMOS de Toshiba permet à la puce de basculer dans un mode veille à très basse consommation lorsque CE barre (broche 11) est forcée au niveau HAUT (+5V). Si sur votre circuit cette ligne de sélection reste flottante ou mal tirée vers le haut lors de l'extinction du système, la RAM restera active, surconsommera sur la batterie de sauvegarde et risquera de corrompre ses données.

  • Sensibilité critique au bruit de commutation (Découplage obligatoire) : Avec un temps d'accès de 35 ns, les transistors internes de sortie commutent les 16 lignes de données à une vitesse extrême. Ces commutations simultanées génèrent d'importants pics de courant sur les pistes d'alimentation. Il est impératif de souder un condensateur céramique multicouche (MLCC) de 100 nF au plus près de la broche d'alimentation VCC (broche 24) et de la broche GND (broche 13) pour éviter des erreurs de lecture intermittentes sur le bus.

7,92 € 7,92 € (Toutes taxes comprises)

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