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IC TMS4500A-NL / TMS 4500 A -NL - Contrôleur de Mémoire RAM Dynamique (DRAM Controller) DIP-40

IC TMS4500A-NL / TMS 4500 A -NL - Contrôleur de Mémoire RAM Dynamique (DRAM Controller) DIP-40

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Le TMS4500A-NL (developpe par Texas Instruments) est un circuit integre monolithique controleur de memoire RAM dynamique (DRAM Controller IC).

Loge dans un boitier DIP plastique a 40 broches (PDIP40 / DIP-40), ce composant est une piece maitresse de la gestion memoire dans les architectures a base de microprocesseurs 8 bits et 16 bits des annees 80 (tels que les Z80, 8085, 8086/8088, 68000).

Il simplifie drastiquement le couplage entre un processeur et un banc de memoires DRAM (comme les series 4116, 4164 ou 41256) en prenant entierement en charge le multiplexage d'adresses (Lignes / Colonnes), la generation automatique des signaux de strobing (/RAS et /CAS), la logique d'arbitrage de cycles, ainsi que les cycles de rafraichissement automatique (Auto-Refresh) des puces DRAM sans bloquer le processeur.

Caracteristiques Essentielles

  • Fabricant d'origine : Texas Instruments.

  • Fonction : Controleur et rafraichisseur de memoire RAM dynamique (DRAM Controller).

  • Boitier : PDIP40 / DIP-40 (Plastique 40 broches traversantes, pas de 2,54 mm).

  • Signification de la reference :

    • TMS : Sequence de designation des circuits integres MOS / LSI chez Texas Instruments.

    • 4500A : Reference de l'architecture du controleur DRAM.

    • NL : Designe le boitier plastique DIP (Plastic DIP 40-pin).

  • Performances cles :

    • Multiplexage d'Adresses Integre : Multiplexe jusqu'a 16 lignes d'adresses d'entree vers 8 lignes d'adresses de sortie pour attaquer directement les matrices DRAM.

    • Gestion du Rafraichissement (Refresh Controller) : Integre un compteur de rafraichissement sur 8 bits et un timer autonome pour executer les cycles de rafraichissement periodiques indispensables aux puces DRAM.

    • Generation des Chronogrammes /RAS et /CAS : Genere automatiquement les sequences temporelles de stroboscope d'adresse ligne (/RAS) et colonne (/CAS), ainsi que le signal de lecture/ecriture.

    • Arbitrage de Bus : Aligne les demandes de rafraichissement avec les cycles d'acces du processeur pour eviter les conflits de bus et minimiser les etats d'attente (Wait States).

CaracteristiqueSpecifications
FabricantTexas Instruments
Type de FonctionControleur de Memoire DRAM avec Rafraichissement Auto
Capacite gereeBancs DRAM jusqu'a 64K ou 256K mots (ex: 4164, 41256)
Tension d'alimentation (Vcc)+4,5 V a +5,5 V CC (nominalement +5 V)
BoitierPDIP40 (Plastique 40 broches)

Memo Technique d'Atelier

  • Diagnostic Express (Plantage systeme, erreurs d'adresses ou memoire corrompue) :

    • Le processeur plante des les premieres lectures/ecritures en RAM :

      1. Mesure la tension Vcc (+5 V) sur la broche d'alimentation et la masse (GND) sur le boitier DIP-40.

      2. Verifie la presence de l'horloge systeme (CLK) injectee sur le TMS4500A. Sans cette horloge, l'automate d'etats interne ne peut pas generer les fronts de decoupage.

      3. Controle les sorties /RAS et /CAS a l'oscilloscope : des salves regulieres d'impulsions doivent apparaitre en permanence, y compris lorsque le processeur est au repos (temoin du cycle de rafraichissement d'arriere-plan).

    • Surchauffe ou donnees perdues au bout de quelques secondes :

      • Si le rafraichissement ne s'effectue pas correctement, les cellules de la DRAM se dechargent et la memoire s'efface progressivement. Verifie la configuration des broches de selection du mode de rafraichissement.

  • Recommandations de Montage :

    • Empreinte DIP-40 : Utilise un support DIP-40 a contacts lyres ou tournes pour faciliter l'insertion et proteger les broches.

    • Decouplage HF : En raison de la commutation simultanee de multiples lignes d'adresses et de signaux de strobing rapides, installe un condensateur ceramique de 100 nF au plus pres de la broche Vcc du TMS4500A pour eviter le bruit d'alimentation sur la carte mere.

12,50 € 12,50 € (Toutes taxes comprises)

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